مواصفات التكنولوجيا MBR5200VPBTR-E1
المواصفات الفنية Diodes Incorporated - MBR5200VPBTR-E1 والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ Diodes Incorporated - MBR5200VPBTR-E1
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | Diodes Incorporated | |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا | 950 mV @ 5 A | |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس) | 200 V | |
| تكنولوجيا | Schottky | |
| تجار الأجهزة حزمة | DO-201 | |
| سرعة | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| سلسلة | - |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| حزمة / كيس | DO-201AA, DO-27, Axial | |
| طَرد | Cut Tape (CT) | |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع | -65°C ~ 150°C | |
| تصاعد نوع | Through Hole | |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي | 500 µA @ 200 V | |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو) | 5A | |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F | - |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ Diodes Incorporated MBR5200VPBTR-E1.
| سمة المنتج |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | MBR5200VPBTR-E1 | MBR540VSTR-G1 | MBR5025L | MBR560MFST1G |
| الصانع | Diodes Incorporated | Diodes Incorporated | onsemi | onsemi |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي | 500 µA @ 200 V | 100 µA @ 40 V | - | 150 µA @ 60 V |
| تصاعد نوع | Through Hole | Surface Mount | - | Surface Mount |
| تجار الأجهزة حزمة | DO-201 | SMB | - | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F | - | - | - | - |
| حزمة / كيس | DO-201AA, DO-27, Axial | DO-214AA, SMB | - | 8-PowerTDFN, 5 Leads |
| سلسلة | - | - | * | - |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو) | 5A | 5A | - | 5A |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا | 950 mV @ 5 A | 550 mV @ 5 A | - | 780 mV @ 5 A |
| تكنولوجيا | Schottky | Schottky | - | Schottky |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس) | 200 V | 40 V | - | 60 V |
| سرعة | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | - | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| طَرد | Cut Tape (CT) | Tape & Reel (TR) | Bulk | Tape & Reel (TR) |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع | -65°C ~ 150°C | -65°C ~ 150°C | - | -55°C ~ 175°C |
قم بتنزيل أوراق بيانات MBR5200VPBTR-E1 PDF ووثائق Diodes Incorporated لـ MBR5200VPBTR-E1 - Diodes Incorporated.
MBR5040T1GAMI Semiconductor/onsemiMBR540VSTR-G1Diodes IncorporatedDIODE SCHOTTKY 40V 5A SMB
MBR5100PANJITMBR5100_AY_10001PANJITMBR5200ANGFIRSTMBR5025LonsemiRECTIFIER DIODE, SCHOTTKYMBR580PANJITMBR5200BLMBR560PANJIT
MBR545Taiwan SemiconductorMBR5200_AY_10001PANJITMBR560MFST1GonsemiDIODE SCHOTTKY 60V 5A 5DFN
MBR5200VPC-E1Diodes IncorporatedDIODE SCHOTTKY 200V 5A DO27MBR5150_AY_10001PANJITMBR5150PANJITMBR540MFSAMI Semiconductor/onsemiMBR5100MFST1GonsemiDIODE SCHOTTKY 100V 5A 5DFNMBR5200VPTR-E1Diodes IncorporatedDIODE SCHOTTKY 200V 5A DO201| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.