مواصفات التكنولوجيا MBR5H150VPC-E1
المواصفات الفنية Diodes Incorporated - MBR5H150VPC-E1 والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ Diodes Incorporated - MBR5H150VPC-E1
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | Diodes Incorporated | |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا | 920 mV @ 5 A | |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس) | 150 V | |
| تكنولوجيا | Schottky | |
| تجار الأجهزة حزمة | DO-201 | |
| سرعة | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| سلسلة | - |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| حزمة / كيس | DO-201AA, DO-27, Axial | |
| طَرد | Bulk | |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع | 175°C (Max) | |
| تصاعد نوع | Through Hole | |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي | 8 µA @ 150 V | |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو) | 5A | |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F | - |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ Diodes Incorporated MBR5H150VPC-E1.
| سمة المنتج |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | MBR5H150VPC-E1 | MBR5H100MFST1G | MBR5H150VPTR-E1 | MBR560MFST1G |
| الصانع | Diodes Incorporated | onsemi | Diodes Incorporated | onsemi |
| سلسلة | - | SWITCHMODE™ | - | - |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي | 8 µA @ 150 V | 100 µA @ 100 V | 8 µA @ 150 V | 150 µA @ 60 V |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F | - | - | - | - |
| تجار الأجهزة حزمة | DO-201 | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) | DO-201 | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) |
| حزمة / كيس | DO-201AA, DO-27, Axial | 8-PowerTDFN, 5 Leads | DO-201AA, DO-27, Axial | 8-PowerTDFN, 5 Leads |
| طَرد | Bulk | Tape & Reel (TR) | Tape & Box (TB) | Tape & Reel (TR) |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع | 175°C (Max) | -55°C ~ 175°C | 175°C (Max) | -55°C ~ 175°C |
| تصاعد نوع | Through Hole | Surface Mount | Through Hole | Surface Mount |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس) | 150 V | 100 V | 150 V | 60 V |
| تكنولوجيا | Schottky | Schottky | Schottky | Schottky |
| سرعة | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا | 920 mV @ 5 A | 730 mV @ 5 A | 920 mV @ 5 A | 780 mV @ 5 A |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو) | 5A | 5A | 5A | 5A |
قم بتنزيل أوراق بيانات MBR5H150VPC-E1 PDF ووثائق Diodes Incorporated لـ MBR5H150VPC-E1 - Diodes Incorporated.
MBR545Taiwan Semiconductor
MBR560PANJITMBR5H100MFST1GonsemiDIODE SCHOTTKY 100V 5A 5DFN
MBR600200CTGeneSiC SemiconductorDIODE SCHOTTKY 200V 300A 2 TOWERMBR60035CTGeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 35V 300A 2TOWERMBR5H200SSPANJITMBR5200_AY_10001PANJITMBR5H150VPTR-E1Diodes IncorporatedDIODE SCHOTTKY 150V 5A DO201MBR60035MOTOROLAIGBT ModuleMBR60045CTGeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 45V 300A 2TOWERMBR5H100MFSAMI Semiconductor/onsemiMBR580PANJITMBR560MFST1GonsemiDIODE SCHOTTKY 60V 5A 5DFNMBR600100CTGeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 100V 300A 2TOWER
MBR540VSTR-G1Diodes IncorporatedDIODE SCHOTTKY 40V 5A SMBMBR60040MOTOROLAIGBT ModuleMBR540MFSAMI Semiconductor/onsemiMBR60030CTGeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 30V 300A 2TOWER| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.