مواصفات التكنولوجيا S1MSWF-7
المواصفات الفنية Diodes Incorporated - S1MSWF-7 والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ Diodes Incorporated - S1MSWF-7
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | Diodes Incorporated | |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا | 1.1 V @ 1 A | |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس) | 1000 V | |
| تكنولوجيا | Standard | |
| تجار الأجهزة حزمة | SOD-123F | |
| سرعة | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | |
| سلسلة | Automotive, AEC-Q101 | |
| عكس وقت الاسترداد (TRR) | 1 µs |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| حزمة / كيس | SOD-123F | |
| طَرد | Tape & Reel (TR) | |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع | -55°C ~ 150°C | |
| تصاعد نوع | Surface Mount | |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي | 10 µA @ 1000 V | |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو) | 1A | |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F | 6pF @ 4V, 1MHz | |
| رقم المنتج الأساسي | S1M |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ Diodes Incorporated S1MSWF-7.
| سمة المنتج |  |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | S1MSWF-7 | S1MWF-7 | S1MSP1-7 | S1MHE3/61T |
| الصانع | Diodes Incorporated | Diodes Incorporated | Diodes Incorporated | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو) | 1A | 1A | 1A | 1A |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F | 6pF @ 4V, 1MHz | 7pF @ 4V, 1MHz | 4pF @ 4V, 1MHz | - |
| حزمة / كيس | SOD-123F | SOD-123F | POWERDI®123 | DO-214AC, SMA |
| تجار الأجهزة حزمة | SOD-123F | SOD-123F | PowerDI™ 123 | DO-214AC (SMA) |
| تكنولوجيا | Standard | Standard | Standard | Standard |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس) | 1000 V | 1000 V | 1000 V | 1000 V |
| عكس وقت الاسترداد (TRR) | 1 µs | 3 µs | 1.2 µs | 1.8 µs |
| طَرد | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| سلسلة | Automotive, AEC-Q101 | - | - | Automotive, AEC-Q100 |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا | 1.1 V @ 1 A | 1.1 V @ 1 A | 1.1 V @ 1 A | 1.1 V @ 1 A |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C |
| رقم المنتج الأساسي | S1M | S1M | S1M | S1M |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي | 10 µA @ 1000 V | 5 µA @ 1000 V | 10 µA @ 1000 V | 5 µA @ 1000 V |
| سرعة | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| تصاعد نوع | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
قم بتنزيل أوراق بيانات S1MSWF-7 PDF ووثائق Diodes Incorporated لـ S1MSWF-7 - Diodes Incorporated.
S1MWF-7Diodes IncorporatedDIODE GEN PURP 1KV 1A SOD123FS1MSP1-7Diodes IncorporatedDIODE GP 1KV 1A POWERDI123
S1MHR2GTaiwan SemiconductorS1MHE3/61TVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 1KV 1A DO214ACS1MS R3Taiwan SemiconductorS1ML R3Taiwan Semiconductor
S1MHE3Electro-Films (EFI) / VishayS1MSWFQ-7Diodes IncorporatedDIODE GEN PURP 1KV 1A SOD123FS1MHE3-A/HElectro-Films (EFI) / Vishay
S1M_NLFairchild (onsemi)S1MSP1-FDiodes IncorporatedS1MLHRVGTaiwan Semiconductor CorporationDIODE GEN PURP 1KV 1A SUB SMAS1MHE3-A/IElectro-Films (EFI) / VishayS1ML R2
S1MLWHRVGTSC (Taiwan Semiconductor)DIODE GEN PURP 1KV 1A SOD123WS1MHE3_A/HVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 1KV 1A DO214ACS1ML SHRVGTaiwan SemiconductorS1MHE3_A/IVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.