مواصفات التكنولوجيا S2J-13
المواصفات الفنية Diodes Incorporated - S2J-13 والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ Diodes Incorporated - S2J-13
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | Diodes Incorporated | |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا | 1.15 V @ 1.5 A | |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس) | 600 V | |
| تكنولوجيا | Standard | |
| تجار الأجهزة حزمة | SMB | |
| سرعة | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | |
| سلسلة | - | |
| حزمة / كيس | DO-214AA, SMB |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| طَرد | Tape & Reel (TR) | |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع | -65°C ~ 150°C | |
| تصاعد نوع | Surface Mount | |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي | 5 µA @ 600 V | |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو) | 1.5A | |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F | 20pF @ 4V, 1MHz | |
| رقم المنتج الأساسي | S2J |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ Diodes Incorporated S2J-13.
| سمة المنتج |  |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | S2J-13 | S2JHE3_A/H | S2J-13-F | PMEG6020ER,115 |
| الصانع | Diodes Incorporated | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Diodes Incorporated | Nexperia USA Inc. |
| سلسلة | - | Automotive, AEC-Q101 | - | Automotive, AEC-Q101 |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس) | 600 V | 600 V | 600 V | 60 V |
| رقم المنتج الأساسي | S2J | S2J | S2J | PMEG6020 |
| حزمة / كيس | DO-214AA, SMB | DO-214AA, SMB | DO-214AA, SMB | SOD-123W |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو) | 1.5A | 1.5A | 1.5A | 2A |
| تصاعد نوع | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| تجار الأجهزة حزمة | SMB | DO-214AA (SMB) | SMB | SOD-123W |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F | 20pF @ 4V, 1MHz | 16pF @ 4V, 1MHz | 20pF @ 4V, 1MHz | 240pF @ 1V, 1MHz |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي | 5 µA @ 600 V | 1 µA @ 600 V | 5 µA @ 600 V | 150 µA @ 60 V |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع | -65°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C | -65°C ~ 150°C | 150°C (Max) |
| تكنولوجيا | Standard | Standard | Standard | Schottky |
| سرعة | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| طَرد | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا | 1.15 V @ 1.5 A | 1.15 V @ 1.5 A | 1.15 V @ 1.5 A | 530 mV @ 2 A |
قم بتنزيل أوراق بيانات S2J-13 PDF ووثائق Diodes Incorporated لـ S2J-13 - Diodes Incorporated.
S2JHE3-A/HElectro-Films (EFI) / VishayS2J-6600E3Electro-Films (EFI) / VishayS2JHE3Electro-Films (EFI) / VishayS2JHE3_A/HVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 600V 1.5A DO214AA
S2J R4Taiwan SemiconductorS2J-13-FDiodes IncorporatedDIODE GEN PURP 600V 1.5A SMBS2JHE3/52TElectro-Films (EFI) / VishayS2JHE3/S2J-E3Electro-Films (EFI) / VishayPMEG6020ER,115Nexperia USA Inc.DIODE SCHOTTKY 60V 2A SOD123WS2J-E3/52TVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 600V 1.5A DO214AAS2JAHR3GTaiwan SemiconductorS2JHE3/5BTElectro-Films (EFI) / VishayS2JHE3/61TElectro-Films (EFI) / Vishay
S2J-G2GSI TechnologyS2JA-13-FDiodes IncorporatedDIODE GEN PURP 600V 1.5A SMA
NRVBS360BT3GonsemiDIODE SCHOTTKY 60V 3A SMBS2J-E3/61TElectro-Films (EFI) / VishayS2JHE3_A/IVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 600V 1.5A DO214AA| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.