مواصفات التكنولوجيا S3G-13-F
المواصفات الفنية Diodes Incorporated - S3G-13-F والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ Diodes Incorporated - S3G-13-F
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | Diodes Incorporated | |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا | 1.15 V @ 3 A | |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس) | 400 V | |
| تكنولوجيا | Standard | |
| تجار الأجهزة حزمة | SMC | |
| سرعة | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | |
| سلسلة | - | |
| حزمة / كيس | DO-214AB, SMC |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| طَرد | Tape & Reel (TR) | |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع | -65°C ~ 150°C | |
| تصاعد نوع | Surface Mount | |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي | 10 µA @ 400 V | |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو) | 3A | |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F | 40pF @ 4V, 1MHz | |
| رقم المنتج الأساسي | S3G |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ Diodes Incorporated S3G-13-F.
| سمة المنتج |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | S3G-13-F | S3G-E3/9AT | S3G R7 | S3G-E3/57T |
| الصانع | Diodes Incorporated | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Taiwan Semiconductor Corporation | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F | 40pF @ 4V, 1MHz | 60pF @ 4V, 1MHz | 60pF @ 4V, 1MHz | 60pF @ 4V, 1MHz |
| رقم المنتج الأساسي | S3G | S3G | - | S3G |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس) | 400 V | 400 V | 400 V | 400 V |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع | -65°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C |
| تجار الأجهزة حزمة | SMC | DO-214AB (SMC) | DO-214AB (SMC) | DO-214AB (SMC) |
| تكنولوجيا | Standard | Standard | Standard | Standard |
| حزمة / كيس | DO-214AB, SMC | DO-214AB, SMC | DO-214AB, SMC | DO-214AB, SMC |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي | 10 µA @ 400 V | 10 µA @ 400 V | 10 µA @ 400 V | 10 µA @ 400 V |
| طَرد | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو) | 3A | 3A | 3A | 3A |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا | 1.15 V @ 3 A | 1.15 V @ 2.5 A | 1.15 V @ 3 A | 1.15 V @ 2.5 A |
| سلسلة | - | - | - | - |
| سرعة | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| تصاعد نوع | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
قم بتنزيل أوراق بيانات S3G-13-F PDF ووثائق Diodes Incorporated لـ S3G-13-F - Diodes Incorporated.
S3G-E3/9ATVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB
S3G-3/9AGS
S3G-6600Electro-Films (EFI) / VishayS3G-3HE3/9ATElectro-Films (EFI) / VishayS3G R7Taiwan Semiconductor CorporationDIODE GEN PURP 400V 3A DO214ABS3G-4HE3 A/HElectro-Films (EFI) / VishayS3G-4/9GSI TechnologyS3G-4HE3_A/HElectro-Films (EFI) / VishayS3G-E3/57TVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 400V 3A DO214ABS3G-6600HE3/57TElectro-Films (EFI) / VishayS3G-4HE3Electro-Films (EFI) / VishayS3G-4HE3/9ATElectro-Films (EFI) / VishayS3G-6600/9TElectro-Films (EFI) / VishayS3G R6Taiwan Semiconductor CorporationDIODE GEN PURP 400V 3A DO214ABS3G-6600HE3/9ATElectro-Films (EFI) / VishayS3G-4/7TElectro-Films (EFI) / VishayS3G-6600HE3Electro-Films (EFI) / VishayS3G-6600HE3/59TElectro-Films (EFI) / Vishay| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.