مواصفات التكنولوجيا US1D-13-F
المواصفات الفنية Diodes Incorporated - US1D-13-F والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ Diodes Incorporated - US1D-13-F
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | Diodes Incorporated | |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا | 1 V @ 1 A | |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس) | 200 V | |
| تكنولوجيا | Standard | |
| تجار الأجهزة حزمة | SMA | |
| سرعة | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| سلسلة | - | |
| عكس وقت الاسترداد (TRR) | 50 ns |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| حزمة / كيس | DO-214AC, SMA | |
| طَرد | Tape & Reel (TR) | |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع | -65°C ~ 150°C | |
| تصاعد نوع | Surface Mount | |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي | 5 µA @ 200 V | |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو) | 1A | |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F | 20pF @ 4V, 1MHz | |
| رقم المنتج الأساسي | US1D |
| يصف | وصف |
|---|---|
| حالة RoHs | |
| مستوى حساسية الرطوبة (MSL) | 1 (Unlimited) |
| الوصول إلى الحالة | REACH Affected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ Diodes Incorporated US1D-13-F.
| سمة المنتج |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | US1D-13-F | US1D-TP | US1BFA | US1DFA |
| الصانع | Diodes Incorporated | Micro Commercial Co | onsemi | onsemi |
| تجار الأجهزة حزمة | SMA | DO-214AC (SMA) | SOD-123FA | SOD-123FA |
| تكنولوجيا | Standard | Standard | Standard | Standard |
| عكس وقت الاسترداد (TRR) | 50 ns | 50 ns | 50 ns | 50 ns |
| سرعة | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| تصاعد نوع | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع | -65°C ~ 150°C | -65°C ~ 175°C | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C |
| حزمة / كيس | DO-214AC, SMA | DO-214AC, SMA | SOD-123W | SOD-123W |
| طَرد | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس) | 200 V | 200 V | 100 V | 200 V |
| سلسلة | - | - | - | - |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو) | 1A | 1A | 1A | 1A |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا | 1 V @ 1 A | 1 V @ 1 A | 950 mV @ 1 A | 950 mV @ 1 A |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي | 5 µA @ 200 V | 10 µA @ 200 V | 5 µA @ 100 V | 5 µA @ 200 V |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F | 20pF @ 4V, 1MHz | 20pF @ 4V, 1MHz | 20pF @ 4V, 1MHz | 20pF @ 4V, 1MHz |
| رقم المنتج الأساسي | US1D | US1D | US1B | US1D |
قم بتنزيل أوراق بيانات US1D-13-F PDF ووثائق Diodes Incorporated لـ US1D-13-F - Diodes Incorporated.
US1D R3Taiwan Semiconductor
US1D R1,00001PANJITUS1DWG_R1PANJITUS1D-TPMicro Commercial CoDIODE GEN PURP 200V 1A DO214ACUS1BFAonsemiDIODE GEN PURP 100V 1A SOD123FA
US1B-E3Electro-Films (EFI) / VishayUS1D-E3Electro-Films (EFI) / VishayUS1D T/RPANJITUS1DFAonsemiDIODE GEN PURP 200V 1A SOD123FA
US1D-E3/61TVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 200V 1A DO214ACUS1DWZT/RPANJIT
US1DWF-7Diodes IncorporatedDIODE GEN PURP 200V 1A SOD123FUS1D-FFORMOSAUS1C-E3/61TElectro-Films (EFI) / VishayUS1B-M3/61TVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 100V 1A DO214ACUS1B-E3/61TVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 100V 1A DO214ACUS1D-M3/61TVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 200V 1A DO214ACUS1D 2K/R| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ يرجى إضافة إلى CART ، وسوف نتصل بك على الفور.