مواصفات التكنولوجيا FCI25N60N
المواصفات الفنية Fairchild Semiconductor - FCI25N60N والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ Fairchild Semiconductor - FCI25N60N
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | Fairchild (onsemi) | |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 4V @ 250µA | |
| فغس (ماكس) | ±30V | |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | |
| تجار الأجهزة حزمة | I2PAK (TO-262) | |
| سلسلة | SupreMOS™ | |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 125mOhm @ 12.5A, 10V | |
| تبديد الطاقة (ماكس) | 216W (Tc) | |
| حزمة / كيس | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | |
| طَرد | Bulk |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| تصاعد نوع | Through Hole | |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 3352 pF @ 100 V | |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 74 nC @ 10 V | |
| نوع FET | N-Channel | |
| FET الميزة | - | |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) | 10V | |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 600 V | |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 25A (Tc) | |
| رقم المنتج الأساسي | FCI25 |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ Fairchild Semiconductor FCI25N60N.
| سمة المنتج |  |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | FCI25N60N | FCI25N60N | FCI25N60N-F102 | FCI25N60N-F102 |
| الصانع | Fairchild Semiconductor | onsemi | onsemi | Fairchild Semiconductor |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 25A (Tc) | 25A (Tc) | 25A (Tc) | 25A (Tc) |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 125mOhm @ 12.5A, 10V | 125mOhm @ 12.5A, 10V | 125mOhm @ 12.5A, 10V | 125mOhm @ 12.5A, 10V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 74 nC @ 10 V | 74 nC @ 10 V | 74 nC @ 10 V | 74 nC @ 10 V |
| سلسلة | SupreMOS™ | SupreMOS™ | SupreMOS™ | SupreMOS™ |
| تبديد الطاقة (ماكس) | 216W (Tc) | 216W (Tc) | 216W (Tc) | 216W (Tc) |
| فغس (ماكس) | ±30V | ±30V | ±30V | ±30V |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 3352 pF @ 100 V | 3352 pF @ 100 V | 3352 pF @ 100 V | 3352 pF @ 100 V |
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| رقم المنتج الأساسي | FCI25 | FCI25 | FCI25N60 | - |
| طَرد | Bulk | Tube | Tube | Bulk |
| FET الميزة | - | - | - | - |
| تصاعد نوع | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) | 10V | 10V | 10V | 10V |
| حزمة / كيس | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| نوع FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 600 V | 600 V | 600 V | 600 V |
| تجار الأجهزة حزمة | I2PAK (TO-262) | I2PAK (TO-262) | I2PAK (TO-262) | I2PAK (TO-262) |
FCI3216-1R0K05FCI3216-1R0KFCI2012F-R47KTAI-TECHFCI25N60NonsemiMOSFET N-CH 600V 25A I2PAKFCI3216-220KBULLFCI3216-2R2KFCI2012F-R39KFCI2012F-R12KTAI-TECHFCI25N60N-F102onsemiMOSFET N-CH 600V 25A I2PAKFCI3216-100KTTAIFCI2012F-R82KTAI-TECHFCI25N60N-F102Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 600V 25A I2PAKFCI3216-100KTAI-TECHFCI2012F-R22KTAI-TECHFCI2012F-R56KTAI-TECHFCI3216-1R8KTAI-TECHFCI2012F-R68KTAI-TECHFCI2012F-82NKTAI-TECH| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.