مواصفات التكنولوجيا FCP099N60E
المواصفات الفنية Fairchild Semiconductor - FCP099N60E والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ Fairchild Semiconductor - FCP099N60E
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | Fairchild (onsemi) | |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 3.5V @ 250µA | |
| فغس (ماكس) | ±20V | |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | |
| تجار الأجهزة حزمة | TO-220-3 | |
| سلسلة | SuperFET® II | |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 99mOhm @ 18.5A, 10V | |
| تبديد الطاقة (ماكس) | 357W (Tc) | |
| حزمة / كيس | TO-220-3 | |
| طَرد | Bulk |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| تصاعد نوع | Through Hole | |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 3465 pF @ 380 V | |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 114 nC @ 10 V | |
| نوع FET | N-Channel | |
| FET الميزة | - | |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) | 10V | |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 600 V | |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 37A (Tc) |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ Fairchild Semiconductor FCP099N60E.
| سمة المنتج |  |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | FCP099N60E | FCP11N60 | FCP104N60F | FCP11N60 |
| الصانع | Fairchild Semiconductor | onsemi | onsemi | Fairchild Semiconductor |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) | 10V | 10V | 10V | 10V |
| فغس (ماكس) | ±20V | ±30V | ±20V | ±30V |
| حزمة / كيس | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 99mOhm @ 18.5A, 10V | 380mOhm @ 5.5A, 10V | 104mOhm @ 18.5A, 10V | 380mOhm @ 5.5A, 10V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 114 nC @ 10 V | 52 nC @ 10 V | 145 nC @ 10 V | 52 nC @ 10 V |
| تصاعد نوع | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 37A (Tc) | 11A (Tc) | 37A (Tc) | 11A (Tc) |
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 600 V | 600 V | 600 V | 600 V |
| FET الميزة | - | - | - | - |
| سلسلة | SuperFET® II | SuperFET™ | HiPerFET™, Polar™ | SuperFET™ |
| تجار الأجهزة حزمة | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| نوع FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 3465 pF @ 380 V | 1490 pF @ 25 V | 6130 pF @ 25 V | 1490 pF @ 25 V |
| طَرد | Bulk | Tube | Tube | Bulk |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 3.5V @ 250µA | 5V @ 250µA | 5V @ 250µA | 5V @ 250µA |
| تبديد الطاقة (ماكس) | 357W (Tc) | 125W (Tc) | 357W (Tc) | 125W (Tc) |
FCP11N60F MOSFairchild (onsemi)
FCP-101TDK CorporationIGBT ModuleFCP11N60onsemiMOSFET N-CH 600V 11A TO220-3FCP104N60FonsemiMOSFET N-CH 600V 37A TO220-3FCP11N60Fairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1FCP11N60NonsemiMOSFET N-CH 600V 10.8A TO220-3FCP110N65FonsemiMOSFET N-CH 650V 35A TO220-3FCP11N60NFairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
FCP1206H103J-H2Cornell Dubilier Electronics (CDE)CAP FILM 10000PF 5% 50VDC 1206FCP104N60Fairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3FCP11N60 MOSFairchild (onsemi)FCP099N65S3onsemiMOSFET N-CH 650V 30A TO220-3FCP067N65S3onsemiMOSFET N-CH 650V 44A TO220FCP104N60onsemiMOSFET N-CH 600V 37A TO220-3FCP11N60FonsemiMOSFET N-CH 600V 11A TO220-3FCP-102TDK CorporationIGBT ModuleFCP099N60EonsemiMOSFET N-CH 600V 37A TO220-3FCP11N60N MOSFairchild (onsemi)| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.