مواصفات التكنولوجيا FDB3672
المواصفات الفنية Fairchild Semiconductor - FDB3672 والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ Fairchild Semiconductor - FDB3672
سمة المنتج | قيمة السمة | |
---|---|---|
الصانع | Fairchild (onsemi) | |
VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 4V @ 250µA | |
فغس (ماكس) | ±20V | |
تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | |
تجار الأجهزة حزمة | D2PAK (TO-263) | |
سلسلة | PowerTrench® | |
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 28mOhm @ 44A, 10V | |
تبديد الطاقة (ماكس) | 120W (Tc) | |
حزمة / كيس | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
طَرد | Bulk |
سمة المنتج | قيمة السمة | |
---|---|---|
درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
تصاعد نوع | Surface Mount | |
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 1710 pF @ 25 V | |
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 31 nC @ 10 V | |
نوع FET | N-Channel | |
FET الميزة | - | |
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) | 6V, 10V | |
استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 100 V | |
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 7.2A (Ta), 44A (Tc) |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ Fairchild Semiconductor FDB3672.
سمة المنتج | ||||
---|---|---|---|---|
رقم القطعة | FDB3672 | FDB3682 | FDB3682 | FDB3632 |
الصانع | Fairchild Semiconductor | onsemi | Fairchild Semiconductor | onsemi |
VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA |
درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
تصاعد نوع | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) | 6V, 10V | 6V, 10V | 6V, 10V | 6V, 10V |
سلسلة | PowerTrench® | PowerTrench® | PowerTrench® | PowerTrench® |
طَرد | Bulk | Tape & Reel (TR) | Bulk | Tape & Reel (TR) |
حزمة / كيس | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
فغس (ماكس) | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
تجار الأجهزة حزمة | D2PAK (TO-263) | D²PAK (TO-263) | D2PAK (TO-263) | D²PAK (TO-263) |
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 1710 pF @ 25 V | 1250 pF @ 25 V | 1250 pF @ 25 V | 6000 pF @ 25 V |
تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 31 nC @ 10 V | 28 nC @ 10 V | 28 nC @ 10 V | 110 nC @ 10 V |
تبديد الطاقة (ماكس) | 120W (Tc) | 95W (Tc) | 95W (Tc) | 310W (Tc) |
FET الميزة | - | - | - | - |
استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 100 V | 100 V | 100 V | 100 V |
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 28mOhm @ 44A, 10V | 36mOhm @ 32A, 10V | 36mOhm @ 32A, 10V | 9mOhm @ 80A, 10V |
نوع FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 7.2A (Ta), 44A (Tc) | 6A (Ta), 32A (Tc) | 6A (Ta), 32A (Tc) | 12A (Ta), 80A (Tc) |
البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
---|---|---|
منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
البرازيل | 7 | |
أوروبا | ألمانيا | 5 |
المملكة المتحدة | 4 | |
إيطاليا | 5 | |
أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
نيوزيلندا | 5 | |
آسيا | الهند | 4 |
اليابان | 4 | |
الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
مرجع شحن DHL & FedEx | |
---|---|
رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.