مواصفات التكنولوجيا FDD5N50FTM
المواصفات الفنية Fairchild Semiconductor - FDD5N50FTM والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ Fairchild Semiconductor - FDD5N50FTM
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | Fairchild (onsemi) | |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 5V @ 250µA | |
| فغس (ماكس) | ±30V | |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | |
| تجار الأجهزة حزمة | TO-252, (D-Pak) | |
| سلسلة | PowerTrench® | |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 1.55Ohm @ 1.75A, 10V | |
| تبديد الطاقة (ماكس) | 40W (Tc) | |
| حزمة / كيس | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| طَرد | Bulk |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| تصاعد نوع | Surface Mount | |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 650 pF @ 25 V | |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 15 nC @ 10 V | |
| نوع FET | N-Channel | |
| FET الميزة | - | |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) | 10V | |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 500 V | |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 3.5A (Tc) |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ Fairchild Semiconductor FDD5N50FTM.
| سمة المنتج |  |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | FDD5N50FTM | FDD5N50NZFTM | FDD5N50UTM | FDD5N50NZFTM |
| الصانع | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | onsemi |
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 3.5A (Tc) | 3.7A (Tc) | - | 3.7A (Tc) |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) | 10V | 10V | - | 10V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 500 V | 500 V | - | 500 V |
| حزمة / كيس | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | - | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 650 pF @ 25 V | 485 pF @ 25 V | - | 485 pF @ 25 V |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 5V @ 250µA | 5V @ 250µA | - | 5V @ 250µA |
| فغس (ماكس) | ±30V | ±25V | - | ±25V |
| سلسلة | PowerTrench® | UniFET-II™ | - | UniFET-II™ |
| نوع FET | N-Channel | N-Channel | - | N-Channel |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | - | MOSFET (Metal Oxide) |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 1.55Ohm @ 1.75A, 10V | 1.75Ohm @ 1.85A, 10V | - | 1.75Ohm @ 1.85A, 10V |
| طَرد | Bulk | Bulk | - | Tape & Reel (TR) |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 15 nC @ 10 V | 12 nC @ 10 V | - | 12 nC @ 10 V |
| تبديد الطاقة (ماكس) | 40W (Tc) | 62.5W (Tc) | - | 62.5W (Tc) |
| تصاعد نوع | Surface Mount | Surface Mount | - | Surface Mount |
| تجار الأجهزة حزمة | TO-252, (D-Pak) | TO-252, (D-Pak) | - | TO-252AA |
| FET الميزة | - | - | - | - |
FDD5N50FFairchild (onsemi)
FDD5N50FTM-WSONsemiFDD5N50NZFTMFairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3FDD5N50NZFairchild (onsemi)FDD5N50UTMFairchild Semiconductor3A, 500V, 2OHM, N-CHANNEL MOSFETFDD5N50Fairchild (onsemi)FDD5N50NZFTMonsemiMOSFET N-CH 500V 3.7A DPAKFDD5N50NZFFairchild (onsemi)
FDD5810-F085onsemiMOSFET N-CH 60V 7.4A/37A DPAKFDD5690 MOSFairchild (onsemi)FDD5N50TMFairchild Semiconductor4A, 500V, 1.4OHM, N-CHANNEL POWEFDD5810onsemiMOSFET N-CH 60V 7.4A/37A DPAKFDD5N50 MOSFairchild (onsemi)FDD5810Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 60V 7.4A/37A DPAKFDD5N50NZTMonsemiMOSFET N-CH 500V 4A DPAKFDD5810_F085Fairchild (onsemi)FDD5N50UFairchild (onsemi)FDD5810 MOSFairchild (onsemi)| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.