مواصفات التكنولوجيا FDD6N20TM
المواصفات الفنية Fairchild Semiconductor - FDD6N20TM والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ Fairchild Semiconductor - FDD6N20TM
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | Fairchild (onsemi) | |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 5V @ 250µA | |
| فغس (ماكس) | ±30V | |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | |
| تجار الأجهزة حزمة | TO-252, (D-Pak) | |
| سلسلة | UniFET™ | |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 800mOhm @ 2.3A, 10V | |
| تبديد الطاقة (ماكس) | 40W (Tc) | |
| حزمة / كيس | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| طَرد | Bulk |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| تصاعد نوع | Surface Mount | |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 230 pF @ 25 V | |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 6.1 nC @ 10 V | |
| نوع FET | N-Channel | |
| FET الميزة | - | |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) | 10V | |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 200 V | |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 4.5A (Tc) |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ Fairchild Semiconductor FDD6N20TM.
| سمة المنتج |  |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | FDD6N20TM | FDD6N20TM | FDD6N20TF | FDD6N25TM |
| الصانع | Fairchild Semiconductor | onsemi | onsemi | Fairchild Semiconductor |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 4.5A (Tc) | 4.5A (Tc) | 4.5A (Tc) | 4.4A (Tc) |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 230 pF @ 25 V | 230 pF @ 25 V | 230 pF @ 25 V | 250 pF @ 25 V |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) | 10V | 10V | 10V | 10V |
| سلسلة | UniFET™ | UniFET™ | UniFET™ | UniFET™ |
| نوع FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| طَرد | Bulk | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Bulk |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 800mOhm @ 2.3A, 10V | 800mOhm @ 2.3A, 10V | 800mOhm @ 2.3A, 10V | 1.1Ohm @ 2.2A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس) | 40W (Tc) | 40W (Tc) | 40W (Tc) | 50W (Tc) |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 200 V | 200 V | 200 V | 250 V |
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 6.1 nC @ 10 V | 6.1 nC @ 10 V | 6.1 nC @ 10 V | 6 nC @ 10 V |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 5V @ 250µA | 5V @ 250µA | 5V @ 250µA | 5V @ 250µA |
| تجار الأجهزة حزمة | TO-252, (D-Pak) | TO-252AA | TO-252AA | TO-252AA |
| فغس (ماكس) | ±30V | ±30V | ±30V | ±30V |
| تصاعد نوع | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| FET الميزة | - | - | - | - |
| حزمة / كيس | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
FDD6N20TMonsemiMOSFET N-CH 200V 4.5A DPAKFDD6880AFairchild (onsemi)FDD6N20TFonsemiMOSFET N-CH 200V 4.5A D-PAKFDD6N25Fairchild (onsemi)FDD6N50Fairchild (onsemi)FDD6N25TMFairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4FDD6890AFairchild (onsemi)FDD6N20TM MOSFairchild (onsemi)FDD6796A MOSFairchild (onsemi)FDD6N20Fairchild (onsemi)FDD6N25TM MOSFairchild (onsemi)FDD6796 MOSFairchild (onsemi)FDD6N50FFairchild (onsemi)FDD6N25 MOSFairchild (onsemi)
FDD6796AonsemiMOSFET N-CH 25V 20A/40A DPAKFDD6N20TFFairchild SemiconductorMOSFET N-CH 200V 4.5A DPAKFDD6796AFairchild SemiconductorMOSFET N-CH 25V 20A/40A TO252FDD6N25TMonsemiMOSFET N-CH 250V 4.4A DPAK| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.