مواصفات التكنولوجيا FDP6035AL
المواصفات الفنية Fairchild Semiconductor - FDP6035AL والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ Fairchild Semiconductor - FDP6035AL
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | Fairchild (onsemi) | |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 3V @ 250µA | |
| فغس (ماكس) | ±20V | |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | |
| تجار الأجهزة حزمة | TO-220-3 | |
| سلسلة | PowerTrench® | |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 12mOhm @ 24A, 10V | |
| تبديد الطاقة (ماكس) | 52W (Tc) | |
| حزمة / كيس | TO-220-3 | |
| طَرد | Tube |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| درجة حرارة التشغيل | -65°C ~ 175°C (TJ) | |
| تصاعد نوع | Through Hole | |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 1250 pF @ 15 V | |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 18 nC @ 5 V | |
| نوع FET | N-Channel | |
| FET الميزة | - | |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) | 4.5V, 10V | |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 30 V | |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 48A (Ta) |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ Fairchild Semiconductor FDP6035AL.
| سمة المنتج |  |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | FDP6035AL | FDP65N06 | FDP6030BL | FDP6670AL |
| الصانع | Fairchild Semiconductor | onsemi | onsemi | Fairchild Semiconductor |
| تجار الأجهزة حزمة | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
| FET الميزة | - | - | - | - |
| حزمة / كيس | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
| نوع FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 48A (Ta) | 65A (Tc) | 40A (Tc) | 80A (Ta) |
| فغس (ماكس) | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 1250 pF @ 15 V | 2170 pF @ 25 V | 1160 pF @ 15 V | 2440 pF @ 15 V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 18 nC @ 5 V | 43 nC @ 10 V | 17 nC @ 5 V | 33 nC @ 5 V |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 3V @ 250µA | 4V @ 250µA | 3V @ 250µA | 3V @ 250µA |
| طَرد | Tube | Tube | Tube | Tube |
| سلسلة | PowerTrench® | UniFET™ | PowerTrench® | PowerTrench® |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 30 V | 60 V | 30 V | 30 V |
| درجة حرارة التشغيل | -65°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -65°C ~ 175°C (TJ) | -65°C ~ 175°C (TJ) |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) | 4.5V, 10V | 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V |
| تصاعد نوع | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| تبديد الطاقة (ماكس) | 52W (Tc) | 135W (Tc) | 60W (Tc) | 68W (Tc) |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 12mOhm @ 24A, 10V | 16mOhm @ 32.5A, 10V | 18mOhm @ 20A, 10V | 6.5mOhm @ 40A, 10V |
FDP65N06onsemiMOSFET N-CH 60V 65A TO220-3FDP6030BLonsemiMOSFET N-CH 30V 40A TO220-3FDP6670ALFairchild SemiconductorMOSFET N-CH 30V 80A TO220-3FDP6035ALonsemiMOSFET N-CH 30V 48A TO220-3FDP6030BL MOSFairchild (onsemi)FDP6035LFairchild SemiconductorN-CHANNEL POWER MOSFETFDP5N60NZFairchild SemiconductorMOSFET N-CH 600V 4.5A TO220-3FDP6030LFairchild SemiconductorMOSFET N-CH 30V 48A TO220-3FDP603ALFairchild (onsemi)FDP6030BLFairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4FDP603DBLFairchild (onsemi)FDP6030LonsemiMOSFET N-CH 30V 48A TO220-3FDP61N20Fairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6FDP61N20onsemiMOSFET N-CH 200V 61A TO220-3FDP6035AL MOSFairchild (onsemi)FDP61N20 MOSFairchild (onsemi)FDP5N60NZonsemiMOSFET N-CH 600V 4.5A TO220-3FDP6030L MOSFairchild (onsemi)| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.