مواصفات التكنولوجيا FDP8880
المواصفات الفنية Fairchild Semiconductor - FDP8880 والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ Fairchild Semiconductor - FDP8880
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | Fairchild (onsemi) | |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 2.5V @ 250µA | |
| فغس (ماكس) | ±20V | |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | |
| تجار الأجهزة حزمة | TO-220-3 | |
| سلسلة | PowerTrench® | |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 11.6mOhm @ 40A, 10V | |
| تبديد الطاقة (ماكس) | 55W (Tc) | |
| حزمة / كيس | TO-220-3 | |
| طَرد | Bulk |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| تصاعد نوع | Through Hole | |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 1240 pF @ 15 V | |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 29 nC @ 10 V | |
| نوع FET | N-Channel | |
| FET الميزة | - | |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) | 4.5V, 10V | |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 30 V | |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 11A (Ta), 54A (Tc) |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ Fairchild Semiconductor FDP8880.
| سمة المنتج |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | FDP8880 | FDP8876 | FDP8N50NZ | FDP8874 |
| الصانع | Fairchild Semiconductor | onsemi | Fairchild Semiconductor | onsemi |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 1240 pF @ 15 V | 1700 pF @ 15 V | 735 pF @ 25 V | 3130 pF @ 15 V |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 11.6mOhm @ 40A, 10V | 8.7mOhm @ 40A, 10V | 850mOhm @ 4A, 10V | 5.3mOhm @ 40A, 10V |
| سلسلة | PowerTrench® | PowerTrench® | UniFET™ | PowerTrench® |
| تصاعد نوع | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 11A (Ta), 54A (Tc) | 70A (Tc) | 8A (Tc) | 16A (Ta), 114A (Tc) |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET الميزة | - | - | - | - |
| فغس (ماكس) | ±20V | ±20V | ±25V | ±20V |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 10V | 4.5V, 10V |
| حزمة / كيس | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
| تبديد الطاقة (ماكس) | 55W (Tc) | 70W (Tc) | 130W (Tc) | 110W (Tc) |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 2.5V @ 250µA | 2.5V @ 250µA | 5V @ 250µA | 2.5V @ 250µA |
| طَرد | Bulk | Tube | Bulk | Tube |
| نوع FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| تجار الأجهزة حزمة | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 29 nC @ 10 V | 45 nC @ 10 V | 18 nC @ 10 V | 72 nC @ 10 V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 30 V | 30 V | 500 V | 30 V |
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
FDP8876onsemiMOSFET N-CH 30V 70A TO220-3FDP8N50NZFairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8FDP8870 MOSFairchild (onsemi)FDP8874onsemiMOSFET N-CH 30V 16A/114A TO220-3FDP8N50NZonsemiMOSFET N-CH 500V 8A TO220-3FDPC1002SFairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1FDP8896 MOSFairchild (onsemi)
FDPC1002SonsemiMOSFETFDP8896Fairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8FDP8880 MOSFairchild (onsemi)FDP8880onsemiMOSFET N-CH 30V 11A/54A TO220-3FDP8896onsemiMOSFET N-CH 30V 16A/92A TO220-3FDP8874 MOSFairchild (onsemi)FDP8874Fairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8FDP8876Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 30V 70A TO220-3FDP8870_F085Fairchild (onsemi)FDP8876 MOSFairchild (onsemi)FDP8878onsemiMOSFET N-CH 30V 40A TO220-3| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.