مواصفات التكنولوجيا FDPF55N06
المواصفات الفنية Fairchild Semiconductor - FDPF55N06 والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ Fairchild Semiconductor - FDPF55N06
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | Fairchild (onsemi) | |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 4V @ 250µA | |
| فغس (ماكس) | ±25V | |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | |
| تجار الأجهزة حزمة | TO-220F-3 | |
| سلسلة | UniFET™ | |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 22mOhm @ 27.5A, 10V | |
| تبديد الطاقة (ماكس) | 48W (Tc) | |
| حزمة / كيس | TO-220-3 Full Pack | |
| طَرد | Bulk |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| تصاعد نوع | Through Hole | |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 1510 pF @ 25 V | |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 37 nC @ 10 V | |
| نوع FET | N-Channel | |
| FET الميزة | - | |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) | 10V | |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 60 V | |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 55A (Tc) |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ Fairchild Semiconductor FDPF55N06.
| سمة المنتج |  |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | FDPF55N06 | FDPF4N60NZ | FDPF5N50NZ | FDPF44N25TRDTU |
| الصانع | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | onsemi |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 22mOhm @ 27.5A, 10V | 2.5Ohm @ 1.9A, 10V | - | 69mOhm @ 22A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس) | 48W (Tc) | 28W (Tc) | - | 38W (Tc) |
| FET الميزة | - | - | - | - |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 55A (Tc) | 3.8A (Tc) | - | 44A (Tc) |
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) | 10V | 10V | - | 10V |
| فغس (ماكس) | ±25V | ±25V | - | ±30V |
| تجار الأجهزة حزمة | TO-220F-3 | TO-220F-3 | - | TO-220F (LG-Formed) |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 1510 pF @ 25 V | 510 pF @ 25 V | - | 2870 pF @ 25 V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 37 nC @ 10 V | 10.8 nC @ 10 V | - | 61 nC @ 10 V |
| حزمة / كيس | TO-220-3 Full Pack | TO-220-3 Full Pack | - | TO-220-3 Full Pack, Formed Leads |
| تصاعد نوع | Through Hole | Through Hole | - | Through Hole |
| نوع FET | N-Channel | N-Channel | - | N-Channel |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 60 V | 600 V | - | 250 V |
| طَرد | Bulk | Bulk | Bulk | Tube |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 4V @ 250µA | 5V @ 250µA | - | 5V @ 250µA |
| سلسلة | UniFET™ | UniFET-II™ | * | UniFET™ |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | - | MOSFET (Metal Oxide) |
FDPF5N50NNZNOVFDPF4N60NZFairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3FDPF5N50NZFairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4FDPF44N25TRDTUonsemiMOSFET N-CH 250V 44A TO220FFDPF44N25T MOSFairchild (onsemi)
FDPF4N60NZonsemiMOSFET N-CH 600V 3.8A TO220FFDPF51N25onsemiMOSFET N-CH 250V 51A TO220FFDPF52N20TonsemiMOSFET N-CH 200V 52A TO220FFDPF44N25TRDTUFairchild SemiconductorMOSFET N-CH 250V 44A TO220FFDPF5N50NZFTAMI Semiconductor/onsemiFDPF55N06onsemiMOSFET N-CH 60V 55A TO220FFDPF5N50NZUFairchild SemiconductorMOSFET N-CH 500V 3.9A TO220FFDPF5N50NZonsemiMOSFET N-CH 500V 4.5A TO220FFDPF5N50FTonsemiMOSFET N-CH 500V 4.5A TO220FFDPF5N50FTFairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4FDPF5N50NZFonsemiPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4FDPF44N25TFairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4FDPF5N50NZFFairchild SemiconductorMOSFET N-CH 500V 4.2A TO220F| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.