مواصفات التكنولوجيا FDS2582
المواصفات الفنية Fairchild Semiconductor - FDS2582 والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ Fairchild Semiconductor - FDS2582
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | Fairchild (onsemi) | |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 4V @ 250µA | |
| فغس (ماكس) | ±20V | |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | |
| تجار الأجهزة حزمة | 8-SOIC | |
| سلسلة | PowerTrench® | |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 66mOhm @ 4.1A, 10V | |
| تبديد الطاقة (ماكس) | 2.5W (Ta) | |
| حزمة / كيس | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| طَرد | Bulk |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| تصاعد نوع | Surface Mount | |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 1290 pF @ 25 V | |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 25 nC @ 10 V | |
| نوع FET | N-Channel | |
| FET الميزة | - | |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) | 6V, 10V | |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 150 V | |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 4.1A (Ta) |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ Fairchild Semiconductor FDS2582.
| سمة المنتج |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | FDS2582 | FDS2670 | FDS2670 | FDS2672 |
| الصانع | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | onsemi | Fairchild Semiconductor |
| طَرد | Bulk | Bulk | Tape & Reel (TR) | Bulk |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) | 6V, 10V | 10V | 10V | 6V, 10V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 25 nC @ 10 V | 43 nC @ 10 V | 43 nC @ 10 V | 46 nC @ 10 V |
| سلسلة | PowerTrench® | PowerTrench® | PowerTrench® | UltraFET™ |
| تصاعد نوع | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 4.1A (Ta) | 3A (Ta) | 3A (Ta) | 3.9A (Ta) |
| تبديد الطاقة (ماكس) | 2.5W (Ta) | 2.5W (Ta) | 2.5W (Ta) | 2.5W (Ta) |
| نوع FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| تجار الأجهزة حزمة | 8-SOIC | 8-SOIC | 8-SOIC | 8-SOIC |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 66mOhm @ 4.1A, 10V | 130mOhm @ 3A, 10V | 130mOhm @ 3A, 10V | 70mOhm @ 3.9A, 10V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 150 V | 200 V | 200 V | 200 V |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 4V @ 250µA | 4.5V @ 250µA | 4.5V @ 250µA | 4V @ 250µA |
| FET الميزة | - | - | - | - |
| حزمة / كيس | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| فغس (ماكس) | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 1290 pF @ 25 V | 1228 pF @ 100 V | 1228 pF @ 100 V | 2535 pF @ 100 V |
FDS2670Fairchild SemiconductorSMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSIFDS2570-NLFairchild (onsemi)
FDS2582 MOSAMI Semiconductor/onsemiFDS2670onsemiMOSFET N-CH 200V 3A 8SOICFDS2670NLFairchild (onsemi)FDS2572-NLFairchild (onsemi)FDS2672Fairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3FDS2572 MOSFairchild (onsemi)FDS2582-NLVBSEMIFDS2670-NLFairchild (onsemi)FDS2670 MOSFairchild (onsemi)FDS2570Fairchild SemiconductorN-CHANNEL POWER MOSFETFDS2572Fairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4FDS2672onsemiMOSFET N-CH 200V 3.9A 8SOICFDS2512FDS2572_NLFairchild (onsemi)FDS2582onsemiMOSFET N-CH 150V 4.1A 8SOICFDS2572onsemiMOSFET N-CH 150V 4.9A 8SOIC| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.