مواصفات التكنولوجيا FDS6675BZ
المواصفات الفنية Fairchild Semiconductor - FDS6675BZ والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ Fairchild Semiconductor - FDS6675BZ
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | Fairchild (onsemi) | |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 3V @ 250µA | |
| فغس (ماكس) | ±25V | |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | |
| تجار الأجهزة حزمة | 8-SOIC | |
| سلسلة | PowerTrench® | |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 13mOhm @ 11A, 10V | |
| تبديد الطاقة (ماكس) | 2.5W (Ta) | |
| حزمة / كيس | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| طَرد | Bulk |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| تصاعد نوع | Surface Mount | |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 2470 pF @ 15 V | |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 62 nC @ 10 V | |
| نوع FET | P-Channel | |
| FET الميزة | - | |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) | 4.5V, 10V | |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 30 V | |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 11A (Ta) |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ Fairchild Semiconductor FDS6675BZ.
| سمة المنتج |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | FDS6675BZ | FDS6676AS | FDS6676 | FDS6675A |
| الصانع | Fairchild Semiconductor | onsemi | Fairchild Semiconductor | onsemi |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 62 nC @ 10 V | 63 nC @ 10 V | 63 nC @ 5 V | 34 nC @ 5 V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 30 V | 30 V | 30 V | 30 V |
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| فغس (ماكس) | ±25V | ±20V | ±16V | ±25V |
| تجار الأجهزة حزمة | 8-SOIC | 8-SOIC | 8-SOIC | 8-SOIC |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 3V @ 250µA | 3V @ 1mA | 3V @ 250µA | 3V @ 250µA |
| حزمة / كيس | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| FET الميزة | - | - | - | - |
| تصاعد نوع | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 13mOhm @ 11A, 10V | 6mOhm @ 14.5A, 10V | 7mOhm @ 14.5A, 10V | 13mOhm @ 11A, 10V |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 2470 pF @ 15 V | 2510 pF @ 15 V | 5103 pF @ 15 V | 2330 pF @ 15 V |
| طَرد | Bulk | Tape & Reel (TR) | Bulk | Tape & Reel (TR) |
| تبديد الطاقة (ماكس) | 2.5W (Ta) | 2.5W (Ta) | 1W (Ta) | 2.5W (Ta) |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 11A (Ta) | 14.5A (Ta) | 14.5A (Ta) | 11A (Ta) |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V |
| سلسلة | PowerTrench® | PowerTrench®, SyncFET™ | PowerTrench® | PowerTrench® |
| نوع FET | P-Channel | N-Channel | N-Channel | P-Channel |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
FDS6673AZ MOSFairchild (onsemi)FDS6676ASonsemiMOSFET N-CH 30V 14.5A 8SOICFDS6676Fairchild SemiconductorSMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFETFDS6676AS-NLFairchild (onsemi)FDS6676AS MOSFairchild (onsemi)FDS6675 MOSFairchild (onsemi)FDS6675AonsemiMOSFET P-CH 30V 11A 8SOIC
FDS6675BZ_NLAMI Semiconductor/onsemiFDS6675AFairchild SemiconductorMOSFET P-CH 30V 11A 8SOICFDS6675onsemiMOSFET P-CH 30V 11A 8SOICFDS6676 MOSFairchild (onsemi)FDS6675BZonsemiMOSFET P-CH 30V 11A 8SOICFDS6673BZ_F085Fairchild (onsemi)FDS6675BZ MOSFairchild (onsemi)FDS6676-NLFairchild (onsemi)FDS6676ASFairchild SemiconductorSMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSIFDS6675-NLFairchild (onsemi)FDS6673BZonsemiMOSFET P-CH 30V 14.5A 8SOIC| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.