مواصفات التكنولوجيا FDT86106LZ
المواصفات الفنية Fairchild Semiconductor - FDT86106LZ والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ Fairchild Semiconductor - FDT86106LZ
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | Fairchild (onsemi) | |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 2.2V @ 250µA | |
| فغس (ماكس) | ±20V | |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | |
| تجار الأجهزة حزمة | SOT-223-4 | |
| سلسلة | PowerTrench® | |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 108mOhm @ 3.2A, 10V | |
| تبديد الطاقة (ماكس) | 1W (Ta) | |
| حزمة / كيس | TO-261-4, TO-261AA | |
| طَرد | Bulk |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| تصاعد نوع | Surface Mount | |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 315 pF @ 50 V | |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 7 nC @ 10 V | |
| نوع FET | N-Channel | |
| FET الميزة | - | |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) | 4.5V, 10V | |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 100 V | |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 3.2A (Ta) |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ Fairchild Semiconductor FDT86106LZ.
| سمة المنتج |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | FDT86106LZ | FDT86106LZ | FDT55AN06LA0 | FDT86246 |
| الصانع | Fairchild Semiconductor | onsemi | onsemi | Fairchild Semiconductor |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 108mOhm @ 3.2A, 10V | 108mOhm @ 3.2A, 10V | 46mOhm @ 11A, 10V | 236mOhm @ 2A, 10V |
| تصاعد نوع | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| FET الميزة | - | - | - | - |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 2.2V @ 250µA | 2.2V @ 250µA | 3V @ 250µA | 4V @ 250µA |
| حزمة / كيس | TO-261-4, TO-261AA | TO-261-4, TO-261AA | TO-261-4, TO-261AA | TO-261-4, TO-261AA |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 3.2A (Ta) | 3.2A (Ta) | 12.1A (Tc) | 2A (Ta) |
| سلسلة | PowerTrench® | PowerTrench® | PowerTrench® | PowerTrench® |
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| طَرد | Bulk | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Bulk |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 7 nC @ 10 V | 7 nC @ 10 V | 10 nC @ 10 V | 4 nC @ 10 V |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة | SOT-223-4 | SOT-223-4 | SOT-223-4 | SOT-223-4 |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 100 V | 100 V | 60 V | 150 V |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 5V, 10V | 6V, 10V |
| فغس (ماكس) | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| تبديد الطاقة (ماكس) | 1W (Ta) | 2.2W (Ta) | 8.9W (Tc) | 2.2W (Ta) |
| نوع FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 315 pF @ 50 V | 315 pF @ 50 V | 1130 pF @ 25 V | 215 pF @ 75 V |
FDT86106LZonsemiMOSFET N-CH 100V 3.2A SOT223-4FDT55AN06LA0onsemiMOSFET N-CH 60V 12.1A SOT223-4FDT5060LAMI Semiconductor/onsemiFDT86246Fairchild SemiconductorSMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSIFDT86102LZ MOSFairchild (onsemi)FDT55AN06LA0 MOSFairchild (onsemi)FDT461N MOSFairchild (onsemi)FDT86244-NLFairchild (onsemi)FDT86102LZonsemiMOSFET N-CH 100V 6.6A SOT223-4FDT86113LZFAIFairchild (onsemi)FDT86106LZ MOSFairchild (onsemi)FDT86244onsemiMOSFET N-CH 150V 2.8A SOT223-4FDT86244 MOSAMI Semiconductor/onsemiFDT86113LZ MOSFairchild (onsemi)FDT461NFairchild SemiconductorMOSFET N-CH 100V 540MA SOT223-4FDT4N50NZUonsemiPOWER MOSFET, N-CHANNEL, UNIFETIFDT49FCT805ASOFDTFDT86113LZonsemiMOSFET N-CH 100V 3.3A SOT223-4| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.