مواصفات التكنولوجيا FQD3N50CTF
المواصفات الفنية Fairchild Semiconductor - FQD3N50CTF والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ Fairchild Semiconductor - FQD3N50CTF
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | Fairchild (onsemi) | |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 4V @ 250µA | |
| فغس (ماكس) | ±30V | |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | |
| تجار الأجهزة حزمة | TO-252, (D-Pak) | |
| سلسلة | QFET® | |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 2.5Ohm @ 1.25A, 10V | |
| تبديد الطاقة (ماكس) | 35W (Tc) | |
| حزمة / كيس | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| طَرد | Bulk |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| تصاعد نوع | Surface Mount | |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 365 pF @ 25 V | |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 13 nC @ 10 V | |
| نوع FET | N-Channel | |
| FET الميزة | - | |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) | 10V | |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 500 V | |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 2.5A (Tc) |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ Fairchild Semiconductor FQD3N50CTF.
| سمة المنتج |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | FQD3N50CTF | FQD3N40TM | FQD3N50CTM | FQD3N60CTM |
| الصانع | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | onsemi | Fairchild Semiconductor |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 2.5A (Tc) | 2A (Tc) | 2.5A (Tc) | 2.4A (Tc) |
| حزمة / كيس | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) | 10V | 10V | 10V | 10V |
| طَرد | Bulk | Bulk | Tape & Reel (TR) | Bulk |
| فغس (ماكس) | ±30V | ±30V | ±30V | ±30V |
| سلسلة | QFET® | QFET® | QFET® | QFET® |
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| FET الميزة | - | - | - | - |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 13 nC @ 10 V | 7.5 nC @ 10 V | 13 nC @ 10 V | 14 nC @ 10 V |
| تجار الأجهزة حزمة | TO-252, (D-Pak) | TO-252, (D-Pak) | TO-252AA | TO-252, (D-Pak) |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 500 V | 400 V | 500 V | 600 V |
| تصاعد نوع | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 2.5Ohm @ 1.25A, 10V | 3.4Ohm @ 1A, 10V | 2.5Ohm @ 1.25A, 10V | 3.4Ohm @ 1.2A, 10V |
| نوع FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 365 pF @ 25 V | 230 pF @ 25 V | 365 pF @ 25 V | 565 pF @ 25 V |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 4V @ 250µA | 5V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA |
| تبديد الطاقة (ماكس) | 35W (Tc) | 2.5W (Ta), 30W (Tc) | 35W (Tc) | 50W (Tc) |
FQD3N50Fairchild (onsemi)FQD3N40TMFairchild SemiconductorMOSFET N-CH 400V 2A DPAKFQD3N60CFAIRCHILDRCHILDFQD3N50CTMonsemiMOSFET N-CH 500V 2.5A DPAKFQD3N60C MOSFairchild (onsemi)FQD3N50CTM MOSFairchild (onsemi)FQD3N60CTMFairchild SemiconductorN-CHANNEL POWER MOSFETFQD3N40TFonsemiMOSFET N-CH 400V 2A DPAKFQD3N50CTFonsemiMOSFET N-CH 500V 2.5A DPAKFQD3N60Fairchild (onsemi)FQD3N50CTMFairchild SemiconductorMOSFET N-CH 500V 2.5A DPAKFQD3N40TFFairchild SemiconductorMOSFET N-CH 400V 2A DPAKFQD3N40TMonsemiMOSFET N-CH 400V 2A DPAKFQD3N50/CFairchild (onsemi)FQD3N50C/CS MOSFairchild (onsemi)FQD3N50CFAIRCHILDRCHILDFQD3N60CSFairchild (onsemi)FQD3N40FAIRCHILDRCHILD| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.