مواصفات التكنولوجيا FQD4N50TF
المواصفات الفنية Fairchild Semiconductor - FQD4N50TF والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ Fairchild Semiconductor - FQD4N50TF
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | Fairchild (onsemi) | |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 5V @ 250µA | |
| فغس (ماكس) | ±30V | |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | |
| تجار الأجهزة حزمة | TO-252, (D-Pak) | |
| سلسلة | QFET® | |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 2.7Ohm @ 1.3A, 10V | |
| تبديد الطاقة (ماكس) | 2.5W (Ta), 45W (Tc) | |
| حزمة / كيس | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| طَرد | Bulk |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| تصاعد نوع | Surface Mount | |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 460 pF @ 25 V | |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 13 nC @ 10 V | |
| نوع FET | N-Channel | |
| FET الميزة | - | |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) | 10V | |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 500 V | |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 2.6A (Tc) |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ Fairchild Semiconductor FQD4N50TF.
| سمة المنتج |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | FQD4N50TF | FQD4N50TM | FQD4N50TM | FQD4N25TM-WS |
| الصانع | Fairchild Semiconductor | onsemi | Fairchild Semiconductor | onsemi |
| حزمة / كيس | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| تصاعد نوع | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| طَرد | Bulk | Tape & Reel (TR) | Bulk | Tape & Reel (TR) |
| تجار الأجهزة حزمة | TO-252, (D-Pak) | TO-252AA | TO-252, (D-Pak) | TO-252AA |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 5V @ 250µA | 5V @ 250µA | 5V @ 250µA | 5V @ 250µA |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 2.7Ohm @ 1.3A, 10V | 2.7Ohm @ 1.3A, 10V | 2.7Ohm @ 1.3A, 10V | 1.75Ohm @ 1.5A, 10V |
| سلسلة | QFET® | QFET® | QFET® | QFET® |
| FET الميزة | - | - | - | - |
| نوع FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 2.6A (Tc) | 2.6A (Tc) | 2.6A (Tc) | 3A (Tc) |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 13 nC @ 10 V | 13 nC @ 10 V | 13 nC @ 10 V | 5.6 nC @ 10 V |
| تبديد الطاقة (ماكس) | 2.5W (Ta), 45W (Tc) | 2.5W (Ta), 45W (Tc) | 2.5W (Ta), 45W (Tc) | 2.5W (Ta), 37W (Tc) |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) | 10V | 10V | 10V | 10V |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 460 pF @ 25 V | 460 pF @ 25 V | 460 pF @ 25 V | 200 pF @ 25 V |
| فغس (ماكس) | ±30V | ±30V | ±30V | ±30V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 500 V | 500 V | 500 V | 250 V |
FQD4N50Fairchild (onsemi)FQD4N25SFairchild (onsemi)FQD4N50TMonsemiMOSFET N-CH 500V 2.6A DPAKFQD4N50SFairchild (onsemi)FQD4P25FSCFQD4N50TMFairchild SemiconductorMOSFET N-CH 500V 2.6A DPAKFQD4N25TM-WSonsemiMOSFET N-CH 250V 3A DPAKFQD4N60FCS/ME/CSFQD4N60CFairchild (onsemi)FQD4N60CTMFairchild (onsemi)FQD4N50TFairchild (onsemi)FQD4N60C MOSFairchild (onsemi)FQD4N25TMFairchild SemiconductorMOSFET N-CH 250V 3A DPAKFQD4N25TMonsemiMOSFET N-CH 250V 3A DPAKFQD4N50TFonsemiMOSFET N-CH 500V 2.6A DPAKFQD4N60 MOSFairchild (onsemi)FQD4N50TM-NLFairchild (onsemi)FQD4N50 MOSFairchild (onsemi)| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.