مواصفات التكنولوجيا FQH18N50V2
المواصفات الفنية Fairchild Semiconductor - FQH18N50V2 والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ Fairchild Semiconductor - FQH18N50V2
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | Fairchild (onsemi) | |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 5V @ 250µA | |
| فغس (ماكس) | ±30V | |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | |
| تجار الأجهزة حزمة | TO-247 | |
| سلسلة | QFET® | |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 265mOhm @ 10A, 10V | |
| تبديد الطاقة (ماكس) | 277W (Tc) | |
| حزمة / كيس | TO-247-3 | |
| طَرد | Tube |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| تصاعد نوع | Through Hole | |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 3290 pF @ 25 V | |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 55 nC @ 10 V | |
| نوع FET | N-Channel | |
| FET الميزة | - | |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) | 10V | |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 500 V | |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 20A (Tc) |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ Fairchild Semiconductor FQH18N50V2.
| سمة المنتج |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | FQH18N50V2 | FQH140N10 | FQH8N100C | NTA4153NT1 |
| الصانع | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | onsemi | onsemi |
| سلسلة | QFET® | QFET® | QFET® | - |
| تجار الأجهزة حزمة | TO-247 | TO-247 | TO-247-3 | SC-75, SOT-416 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 20A (Tc) | 140A (Tc) | 8A (Tc) | 915mA (Ta) |
| حزمة / كيس | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-247-3 | SC-75, SOT-416 |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) | 10V | 10V | 10V | 1.5V, 4.5V |
| تبديد الطاقة (ماكس) | 277W (Tc) | 375W (Tc) | 225W (Tc) | 300mW (Tj) |
| طَرد | Tube | Tube | Tube | Tape & Reel (TR) |
| FET الميزة | - | - | - | - |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 5V @ 250µA | 4V @ 250µA | 5V @ 250µA | 1.1V @ 250µA |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| تصاعد نوع | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Surface Mount |
| نوع FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 500 V | 100 V | 1000 V | 20 V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 55 nC @ 10 V | 285 nC @ 10 V | 70 nC @ 10 V | 1.82 nC @ 4.5 V |
| فغس (ماكس) | ±30V | ±25V | ±30V | ±6V |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 3290 pF @ 25 V | 7900 pF @ 25 V | 3220 pF @ 25 V | 110 pF @ 16 V |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 265mOhm @ 10A, 10V | 10mOhm @ 70A, 10V | 1.45Ohm @ 4A, 10V | 230mOhm @ 600mA, 4.5V |
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
FQH140N10Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 100V 140A TO247-3FQH18N50U2FARICHILDFQH8N100ConsemiMOSFET N-CH 1000V 8A TO247-3NTA4153NT1onsemiMOSFET N-CH 20V 915MA SC75
IXTA26P20PIXYSMOSFET P-CH 200V 26A TO263FQH140N10onsemiMOSFET N-CH 100V 140A TO247-3
NP45N06VUK-E1-AYRenesas Electronics America IncMOSFET N-CH 60V 45A TO263-3
IRF7463Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 14A 8SO
STF2HNK60ZSTMicroelectronicsMOSFET N-CH 600V 2A TO220FPFQH70N15Fairchild (onsemi)
APT60M75JLLMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 600V 58A ISOTOP
DMN100-7-FDiodes IncorporatedMOSFET N-CH 30V 1.1A SC59-3FQH18N50V2onsemiMOSFET N-CH 500V 20A TO247-3
STD80N3LLSTMicroelectronicsMOSFET N-CH 30V 80A DPAKFQH90N15onsemiMOSFET N-CH 150V 90A TO247-3
FDD8874onsemiMOSFET N-CH 30V 116A D-PAKFQH44N10onsemiMOSFET N-CH 100V 48A TO247-3IRF8707GPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 11A 8SO| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.