مواصفات التكنولوجيا FQI19N20TU
المواصفات الفنية Fairchild Semiconductor - FQI19N20TU والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ Fairchild Semiconductor - FQI19N20TU
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | Fairchild (onsemi) | |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 5V @ 250µA | |
| فغس (ماكس) | ±30V | |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | |
| تجار الأجهزة حزمة | I2PAK (TO-262) | |
| سلسلة | QFET® | |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 150mOhm @ 9.7A, 10V | |
| تبديد الطاقة (ماكس) | 3.13W (Ta), 140W (Tc) | |
| حزمة / كيس | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | |
| طَرد | Tube |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| تصاعد نوع | Through Hole | |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 1600 pF @ 25 V | |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 40 nC @ 10 V | |
| نوع FET | N-Channel | |
| FET الميزة | - | |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) | 10V | |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 200 V | |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 19.4A (Tc) |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ Fairchild Semiconductor FQI19N20TU.
| سمة المنتج |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | FQI19N20TU | FQI27N25TU | FQI17P06TU | FQI19N20TU |
| الصانع | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | onsemi | onsemi |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 19.4A (Tc) | 25.5A (Tc) | 17A (Tc) | 19.4A (Tc) |
| FET الميزة | - | - | - | - |
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تبديد الطاقة (ماكس) | 3.13W (Ta), 140W (Tc) | 3.13W (Ta), 180W (Tc) | 3.75W (Ta), 79W (Tc) | 3.13W (Ta), 140W (Tc) |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 200 V | 250 V | 60 V | 200 V |
| سلسلة | QFET® | QFET® | QFET® | QFET® |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| تصاعد نوع | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 5V @ 250µA | 5V @ 250µA | 4V @ 250µA | 5V @ 250µA |
| طَرد | Tube | Bulk | Tube | Tube |
| حزمة / كيس | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 1600 pF @ 25 V | 2450 pF @ 25 V | 900 pF @ 25 V | 1600 pF @ 25 V |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) | 10V | 10V | 10V | 10V |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 150mOhm @ 9.7A, 10V | 110mOhm @ 12.75A, 10V | 120mOhm @ 8.5A, 10V | 150mOhm @ 9.7A, 10V |
| نوع FET | N-Channel | N-Channel | P-Channel | N-Channel |
| تجار الأجهزة حزمة | I2PAK (TO-262) | I2PAK (TO-262) | I2PAK (TO-262) | I2PAK (TO-262) |
| فغس (ماكس) | ±30V | ±30V | ±25V | ±30V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 40 nC @ 10 V | 65 nC @ 10 V | 27 nC @ 10 V | 40 nC @ 10 V |
FQI27N25TUFairchild SemiconductorMOSFET N-CH 250V 25.5A I2PAKFQI18N25FSCFQI17P06TUonsemiMOSFET P-CH 60V 17A I2PAKFQI19N20TU MOSFairchild (onsemi)FQI19N20TUonsemiMOSFET N-CH 200V 19.4A I2PAKFQI2N50TUFairchild (onsemi)FQI13N50CTUFairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1FQI16N15TU MOSFairchild (onsemi)FQI28N15TU MOSFairchild (onsemi)FQI19N10LTUFSCFQI13N50CTUonsemiMOSFET N-CH 500V 13A I2PAKFQI27N25Fairchild (onsemi)FQI17P20FSCFQI17P06TU MOSFairchild (onsemi)FQI27P06Fairchild (onsemi)FQI28N15TUFSCFQI27N25TUonsemiMOSFET N-CH 250V 25.5A I2PAKFQI16N15TUFSC| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.