مواصفات التكنولوجيا FQI3N30TU
المواصفات الفنية Fairchild Semiconductor - FQI3N30TU والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ Fairchild Semiconductor - FQI3N30TU
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | Fairchild (onsemi) | |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 5V @ 250µA | |
| فغس (ماكس) | ±30V | |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | |
| تجار الأجهزة حزمة | I2PAK (TO-262) | |
| سلسلة | QFET® | |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 2.2Ohm @ 1.6A, 10V | |
| تبديد الطاقة (ماكس) | 3.13W (Ta), 55W (Tc) | |
| حزمة / كيس | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | |
| طَرد | Tube |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| تصاعد نوع | Through Hole | |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 230 pF @ 25 V | |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 7 nC @ 10 V | |
| نوع FET | N-Channel | |
| FET الميزة | - | |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) | 10V | |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 300 V | |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 3.2A (Tc) |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ Fairchild Semiconductor FQI3N30TU.
| سمة المنتج |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | FQI3N30TU | FQI4N20TU | FQI4N20TU | FQI3N90TU |
| الصانع | Fairchild Semiconductor | onsemi | Fairchild Semiconductor | onsemi |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 300 V | 200 V | 200 V | 900 V |
| تصاعد نوع | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| سلسلة | QFET® | QFET® | QFET® | QFET® |
| FET الميزة | - | - | - | - |
| نوع FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| فغس (ماكس) | ±30V | ±30V | ±30V | ±30V |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 3.2A (Tc) | 3.6A (Tc) | 3.6A (Tc) | 3.6A (Tc) |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 7 nC @ 10 V | 6.5 nC @ 10 V | 6.5 nC @ 10 V | 26 nC @ 10 V |
| حزمة / كيس | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| طَرد | Tube | Tube | Tube | Tube |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 2.2Ohm @ 1.6A, 10V | 1.4Ohm @ 1.8A, 10V | 1.4Ohm @ 1.8A, 10V | 4.25Ohm @ 1.8A, 10V |
| تجار الأجهزة حزمة | I2PAK (TO-262) | I2PAK (TO-262) | I2PAK (TO-262) | I2PAK (TO-262) |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 230 pF @ 25 V | 220 pF @ 25 V | 220 pF @ 25 V | 910 pF @ 25 V |
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 5V @ 250µA | 5V @ 250µA | 5V @ 250µA | 5V @ 250µA |
| تبديد الطاقة (ماكس) | 3.13W (Ta), 55W (Tc) | 3.13W (Ta), 45W (Tc) | 3.13W (Ta), 45W (Tc) | 3.13W (Ta), 130W (Tc) |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) | 10V | 10V | 10V | 10V |
FQI34N20TUFSCFQI4N20TUonsemiMOSFET N-CH 200V 3.6A I2PAKFQI30N06TUFSCFQI33N10TU MOSFairchild (onsemi)FQI4N20LFairchild (onsemi)FQI33N10LTUFairchild (onsemi)FQI34N20TU MOSFairchild (onsemi)FQI33N10TUFSCFQI34P10Fairchild (onsemi)FQI47P06FSCFQI4N20TUFairchild SemiconductorMOSFET N-CH 200V 3.6A I2PAKFQI3N90TUonsemiMOSFET N-CH 900V 3.6A I2PAKFQI3N25TUFairchild SemiconductorMOSFET N-CH 250V 2.8A I2PAKFQI44N10Fairchild (onsemi)FQI47P06TUFairchild SemiconductorMOSFET P-CH 60V 47A I2PAKFQI47P06TUonsemiMOSFET P-CH 60V 47A I2PAKFQI3N25TUonsemiMOSFET N-CH 250V 2.8A I2PAKFQI3N30TUonsemiMOSFET N-CH 300V 3.2A I2PAK| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.