مواصفات التكنولوجيا FQP16N15
المواصفات الفنية Fairchild Semiconductor - FQP16N15 والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ Fairchild Semiconductor - FQP16N15
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | Fairchild (onsemi) | |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 4V @ 250µA | |
| فغس (ماكس) | ±25V | |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | |
| تجار الأجهزة حزمة | TO-220-3 | |
| سلسلة | QFET® | |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 160mOhm @ 8.2A, 10V | |
| تبديد الطاقة (ماكس) | 108W (Tc) | |
| حزمة / كيس | TO-220-3 | |
| طَرد | Tube |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| تصاعد نوع | Through Hole | |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 910 pF @ 25 V | |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 30 nC @ 10 V | |
| نوع FET | N-Channel | |
| FET الميزة | - | |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) | 10V | |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 150 V | |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 16.4A (Tc) |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ Fairchild Semiconductor FQP16N15.
| سمة المنتج |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | FQP16N15 | FQP16N25 | FQP16N25C | FQP17N08 |
| الصانع | Fairchild Semiconductor | onsemi | onsemi | onsemi |
| تصاعد نوع | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| سلسلة | QFET® | QFET® | QFET® | QFET® |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 4V @ 250µA | 5V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA |
| نوع FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 150 V | 250 V | 250 V | 80 V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 30 nC @ 10 V | 35 nC @ 10 V | 53.5 nC @ 10 V | 15 nC @ 10 V |
| فغس (ماكس) | ±25V | ±30V | ±30V | ±25V |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 160mOhm @ 8.2A, 10V | 230mOhm @ 8A, 10V | 270mOhm @ 7.8A, 10V | 115mOhm @ 8.25A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس) | 108W (Tc) | 142W (Tc) | 139W (Tc) | 65W (Tc) |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 910 pF @ 25 V | 1200 pF @ 25 V | 1080 pF @ 25 V | 450 pF @ 25 V |
| طَرد | Tube | Tube | Tube | Tube |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 16.4A (Tc) | 16A (Tc) | 15.6A (Tc) | 16.5A (Tc) |
| تجار الأجهزة حزمة | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) | 10V | 10V | 10V | 10V |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET الميزة | - | - | - | - |
| حزمة / كيس | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
FQP15N25CFairchild (onsemi)FQP16N25onsemiMOSFET N-CH 250V 16A TO220-3FQP16N25ConsemiMOSFET N-CH 250V 15.6A TO220-3FQP15N50VBSEMIFQP17N08onsemiMOSFET N-CH 80V 16.5A TO220-3FQP14N30onsemiMOSFET N-CH 300V 14.4A TO220-3FQP15P12Fairchild SemiconductorMOSFET P-CH 120V 15A TO220-3
FQP16N25C-F105onsemiFQP16N25 - POWER FIELD-EFFECT TRFQP14N30Fairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1FQP16N25Fairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1FQP14N15onsemiMOSFET N-CH 150V 14.4A TO220-3FQP16N25CFairchild SemiconductorMOSFET N-CH 250V 15.6A TO220-3FQP16N15onsemiMOSFET N-CH 150V 16.4A TO220-3FQP16N25C-F105Fairchild SemiconductorFQP16N25 - POWER FIELD-EFFECT TRFQP15P12onsemiMOSFET P-CH 120V 15A TO220-3FQP17N08Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 80V 16.5A TO220-3FQP16N15 MOSFairchild (onsemi)FQP15N60CFairchild (onsemi)| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.