مواصفات التكنولوجيا FQP3N25
المواصفات الفنية Fairchild Semiconductor - FQP3N25 والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ Fairchild Semiconductor - FQP3N25
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | Fairchild (onsemi) | |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 5V @ 250µA | |
| فغس (ماكس) | ±30V | |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | |
| تجار الأجهزة حزمة | TO-220-3 | |
| سلسلة | QFET® | |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 2.2Ohm @ 1.4A, 10V | |
| تبديد الطاقة (ماكس) | 45W (Tc) | |
| حزمة / كيس | TO-220-3 | |
| طَرد | Tube |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| تصاعد نوع | Through Hole | |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 170 pF @ 25 V | |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 5.2 nC @ 10 V | |
| نوع FET | N-Channel | |
| FET الميزة | - | |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) | 10V | |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 250 V | |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 2.8A (Tc) |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ Fairchild Semiconductor FQP3N25.
| سمة المنتج |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | FQP3N25 | FQP34N20 | FQP3N60C | FQP3N60C |
| الصانع | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | onsemi | Fairchild Semiconductor |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 250 V | 200 V | 600 V | 600 V |
| نوع FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 170 pF @ 25 V | 3100 pF @ 25 V | 565 pF @ 25 V | 565 pF @ 25 V |
| تجار الأجهزة حزمة | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
| FET الميزة | - | - | - | - |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) | 10V | 10V | 10V | 10V |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 2.2Ohm @ 1.4A, 10V | 75mOhm @ 15.5A, 10V | 3.4Ohm @ 1.5A, 10V | 3.4Ohm @ 1.5A, 10V |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 5V @ 250µA | 5V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 2.8A (Tc) | 31A (Tc) | 3A (Tc) | 3A (Tc) |
| سلسلة | QFET® | QFET® | QFET® | QFET® |
| تصاعد نوع | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| طَرد | Tube | Bulk | Tube | Bulk |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 5.2 nC @ 10 V | 78 nC @ 10 V | 14 nC @ 10 V | 14 nC @ 10 V |
| فغس (ماكس) | ±30V | ±30V | ±30V | ±30V |
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| حزمة / كيس | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
| تبديد الطاقة (ماكس) | 45W (Tc) | 180W (Tc) | 75W (Tc) | 75W (Tc) |
FQP34N20Fairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3FQP33N10 MOSFairchild (onsemi)FQP34N20 MOSFairchild (onsemi)FQP3N60ConsemiMOSFET N-CH 600V 3A TO220-3FQP3N60CFairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3FQP3N25onsemiMOSFET N-CH 250V 2.8A TO220-3FQP3N30onsemiMOSFET N-CH 300V 3.2A TO220-3FQP3N80onsemiMOSFET N-CH 800V 3A TO220-3FQP33N10Fairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3FQP3N50CFairchild SemiconductorN-CHANNEL POWER MOSFETFQP33N10onsemiMOSFET N-CH 100V 33A TO220-3FQP34N20LonsemiMOSFET N-CH 200V 31A TO220-3FQP32N20ConsemiMOSFET N-CH 200V 28A TO220-3FQP3N60Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 600V 3A TO220-3FQP3N60onsemiMOSFET N-CH 600V 3A TO220-3FQP34N20onsemiMOSFET N-CH 200V 31A TO220-3FQP33N10LonsemiMOSFET N-CH 100V 33A TO220-3FQP3N30Fairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.