مواصفات التكنولوجيا FQP6N50
المواصفات الفنية Fairchild Semiconductor - FQP6N50 والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ Fairchild Semiconductor - FQP6N50
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | Fairchild (onsemi) | |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 5V @ 250µA | |
| فغس (ماكس) | ±30V | |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | |
| تجار الأجهزة حزمة | TO-220-3 | |
| سلسلة | QFET® | |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 1.3Ohm @ 2.8A, 10V | |
| تبديد الطاقة (ماكس) | 98W (Tc) | |
| حزمة / كيس | TO-220-3 | |
| طَرد | Tube |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| تصاعد نوع | Through Hole | |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 790 pF @ 25 V | |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 22 nC @ 10 V | |
| نوع FET | N-Channel | |
| FET الميزة | - | |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) | 10V | |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 500 V | |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 5.5A (Tc) |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ Fairchild Semiconductor FQP6N50.
| سمة المنتج |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | FQP6N50 | FQP6N50C | FQP6N60C | FQP6N40C |
| الصانع | Fairchild Semiconductor | onsemi | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor |
| FET الميزة | - | - | - | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 1.3Ohm @ 2.8A, 10V | 1.2Ohm @ 2.8A, 10V | 2Ohm @ 2.75A, 10V | 1Ohm @ 3A, 10V |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| نوع FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) | 10V | 10V | 10V | 10V |
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| حزمة / كيس | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
| فغس (ماكس) | ±30V | ±30V | ±30V | ±30V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 22 nC @ 10 V | 25 nC @ 10 V | 20 nC @ 10 V | 20 nC @ 10 V |
| طَرد | Tube | Tube | Bulk | Bulk |
| تبديد الطاقة (ماكس) | 98W (Tc) | 98W (Tc) | 125W (Tc) | 73W (Tc) |
| سلسلة | QFET® | QFET® | QFET® | QFET® |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 5.5A (Tc) | 5.5A (Tc) | 5.5A (Tc) | 6A (Tc) |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 500 V | 500 V | 600 V | 400 V |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 5V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA |
| تصاعد نوع | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| تجار الأجهزة حزمة | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 790 pF @ 25 V | 700 pF @ 25 V | 810 pF @ 25 V | 625 pF @ 25 V |
FQP6N80 MOSFairchild (onsemi)FQP6N50ConsemiMOSFET N-CH 500V 5.5A TO220-3FQP6N60CFairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 5FQP6N40CFairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6FQP6N60ConsemiMOSFET N-CH 600V 5.5A TO220-3FQP6N40ConsemiMOSFET N-CH 400V 6A TO220-3FQP6N80CFairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 5FQP6N25onsemiMOSFET N-CH 250V 5.5A TO220-3FQP6N25Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 250V 5.5A TO220-3FQP6N80ConsemiMOSFET N-CH 800V 5.5A TO220-3FQP6N40CFFairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6FQP6N50onsemiMOSFET N-CH 500V 5.5A TO220-3FQP6N40Fairchild (onsemi)FQP6N50CFairchild SemiconductorMOSFET N-CH 500V 5.5A TO220-3FQP6N80Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 800V 5.8A TO220-3FQP6N40CFonsemiMOSFET N-CH 400V 6A TO220-3FQP65N06 MOSFairchild (onsemi)FQP6N80onsemiMOSFET N-CH 800V 5.8A TO220-3| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.