مواصفات التكنولوجيا FQP7N80C
المواصفات الفنية Fairchild Semiconductor - FQP7N80C والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ Fairchild Semiconductor - FQP7N80C
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | Fairchild (onsemi) | |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 5V @ 250µA | |
| فغس (ماكس) | ±30V | |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | |
| تجار الأجهزة حزمة | TO-220-3 | |
| سلسلة | QFET® | |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 1.9Ohm @ 3.3A, 10V | |
| تبديد الطاقة (ماكس) | 167W (Tc) | |
| حزمة / كيس | TO-220-3 | |
| طَرد | Bulk |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| تصاعد نوع | Through Hole | |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 1680 pF @ 25 V | |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 35 nC @ 10 V | |
| نوع FET | N-Channel | |
| FET الميزة | - | |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) | 10V | |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 800 V | |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 6.6A (Tc) |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ Fairchild Semiconductor FQP7N80C.
| سمة المنتج |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | FQP7N80C | FQP7N20 | FQP7N60 | FQP7P06 |
| الصانع | Fairchild Semiconductor | onsemi | onsemi | onsemi |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| طَرد | Bulk | Tube | Tube | Tube |
| سلسلة | QFET® | QFET® | QFET® | QFET® |
| حزمة / كيس | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 5V @ 250µA | 5V @ 250µA | 5V @ 250µA | 4V @ 250µA |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 1.9Ohm @ 3.3A, 10V | 690mOhm @ 3.3A, 10V | 1Ohm @ 3.7A, 10V | 410mOhm @ 3.5A, 10V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 800 V | 200 V | 600 V | 60 V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 35 nC @ 10 V | 10 nC @ 10 V | 38 nC @ 10 V | 8.2 nC @ 10 V |
| فغس (ماكس) | ±30V | ±30V | ±30V | ±25V |
| تبديد الطاقة (ماكس) | 167W (Tc) | 63W (Tc) | 142W (Tc) | 45W (Tc) |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 6.6A (Tc) | 6.6A (Tc) | 7.4A (Tc) | 7A (Tc) |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) | 10V | 10V | 10V | 10V |
| تصاعد نوع | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| نوع FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | P-Channel |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 1680 pF @ 25 V | 400 pF @ 25 V | 1430 pF @ 25 V | 295 pF @ 25 V |
| FET الميزة | - | - | - | - |
| تجار الأجهزة حزمة | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
FQP7N20onsemiMOSFET N-CH 200V 6.6A TO220-3FQP7N60onsemiMOSFET N-CH 600V 7.4A TO220-3FQP7P06onsemiMOSFET P-CH 60V 7A TO220-3
FQP7N80C MOSFairchild (onsemi)FQP7N10onsemiMOSFET N-CH 100V 7.3A TO220-3FQP7N40onsemiMOSFET N-CH 400V 7A TO220-3FQP7N65ConsemiMOSFET N-CH 650V 7A TO220-3FQP7N65CFairchild SemiconductorMOSFET N-CH 650V 7A TO220-3FQP80N06Fairchild (onsemi)FQP7N80onsemiMOSFET N-CH 800V 6.6A TO220-3FQP7P20Fairchild SemiconductorMOSFET P-CH 200V 7.3A TO220-3FQP7P06 MOSFairchild (onsemi)FQP7N80Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 800V 6.6A TO220-3FQP7P06Fairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7FQP7N80ConsemiMOSFET N-CH 800V 6.6A TO220-3FQP80N08Fairchild (onsemi)FQP7P20onsemiMOSFET P-CH 200V 7.3A TO220-3FQP7N60CFairchild (onsemi)| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.