مواصفات التكنولوجيا FQPF33N10
المواصفات الفنية Fairchild Semiconductor - FQPF33N10 والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ Fairchild Semiconductor - FQPF33N10
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | Fairchild (onsemi) | |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 4V @ 250µA | |
| فغس (ماكس) | ±25V | |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | |
| تجار الأجهزة حزمة | TO-220F-3 | |
| سلسلة | QFET® | |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 52mOhm @ 9A, 10V | |
| تبديد الطاقة (ماكس) | 41W (Tc) | |
| حزمة / كيس | TO-220-3 Full Pack | |
| طَرد | Bulk |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| تصاعد نوع | Through Hole | |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 1500 pF @ 25 V | |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 51 nC @ 10 V | |
| نوع FET | N-Channel | |
| FET الميزة | - | |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) | 10V | |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 100 V | |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 18A (Tc) |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ Fairchild Semiconductor FQPF33N10.
| سمة المنتج |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | FQPF33N10 | FQPF3N25 | FQPF32N12V2 | FQPF34N20 |
| الصانع | Fairchild Semiconductor | onsemi | onsemi | onsemi |
| فغس (ماكس) | ±25V | ±30V | ±30V | ±30V |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 52mOhm @ 9A, 10V | 2.2Ohm @ 1.15A, 10V | 50mOhm @ 16A, 10V | 75mOhm @ 8.75A, 10V |
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) | 10V | 10V | 10V | 10V |
| تصاعد نوع | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| تجار الأجهزة حزمة | TO-220F-3 | TO-220F-3 | TO-220F-3 | TO-220F-3 |
| تبديد الطاقة (ماكس) | 41W (Tc) | 27W (Tc) | 50W (Tc) | 55W (Tc) |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 51 nC @ 10 V | 5.2 nC @ 10 V | 53 nC @ 10 V | 78 nC @ 10 V |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 4V @ 250µA | 5V @ 250µA | 4V @ 250µA | 5V @ 250µA |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 100 V | 250 V | 120 V | 200 V |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 1500 pF @ 25 V | 170 pF @ 25 V | 1860 pF @ 25 V | 3100 pF @ 25 V |
| سلسلة | QFET® | QFET® | QFET® | QFET® |
| حزمة / كيس | TO-220-3 Full Pack | TO-220-3 Full Pack | TO-220-3 Full Pack | TO-220-3 Full Pack |
| نوع FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| طَرد | Bulk | Tube | Tube | Tube |
| FET الميزة | - | - | - | - |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 18A (Tc) | 2.3A (Tc) | 32A (Tc) | 17.5A (Tc) |
FQPF3N25onsemiMOSFET N-CH 250V 2.3A TO220FFQPF32N12V2onsemiMOSFET N-CH 120V 32A TO220FFQPF34N20onsemiMOSFET N-CH 200V 17.5A TO220F
FQPF32N12V2Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 120V 32A TO220FFQPF34N20LonsemiMOSFET N-CH 200V 17.5A TO220FFQPF30N06LonsemiMOSFET N-CH 60V 22.5A TO220FFQPF30N06Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 60V 21A TO220FFQPF33N10LonsemiMOSFET N-CH 100V 18A TO220FFQPF33N10L MOSFairchild (onsemi)FQPF30N06L MOSFairchild (onsemi)FQPF34N20Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 200V 17.5A TO220FFQPF32N20ConsemiMOSFET N-CH 200V 28A TO220FFQPF34N20LFairchild SemiconductorMOSFET N-CH 200V 17.5A TO220FFQPF33N10 MOSFairchild (onsemi)FQPF3N25Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 250V 2.3A TO220FFQPF32N12VRFairchild (onsemi)FQPF30N06onsemiMOSFET N-CH 60V 21A TO220FFQPF33N10onsemiMOSFET N-CH 100V 18A TO220F| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.