مواصفات التكنولوجيا FQPF4N90
المواصفات الفنية Fairchild Semiconductor - FQPF4N90 والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ Fairchild Semiconductor - FQPF4N90
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | Fairchild (onsemi) | |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 5V @ 250µA | |
| فغس (ماكس) | ±30V | |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | |
| تجار الأجهزة حزمة | TO-220F-3 | |
| سلسلة | QFET® | |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 3.3Ohm @ 1.25A, 10V | |
| تبديد الطاقة (ماكس) | 47W (Tc) | |
| حزمة / كيس | TO-220-3 Full Pack | |
| طَرد | Tube |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| تصاعد نوع | Through Hole | |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 1100 pF @ 25 V | |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 30 nC @ 10 V | |
| نوع FET | N-Channel | |
| FET الميزة | - | |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) | 10V | |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 900 V | |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 2.5A (Tc) |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ Fairchild Semiconductor FQPF4N90.
| سمة المنتج |  |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | FQPF4N90 | FQPF4N90C | FQPF4N80 | FQPF4P40 |
| الصانع | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | onsemi |
| حزمة / كيس | TO-220-3 Full Pack | TO-220-3 Full Pack | TO-220-3 Full Pack | TO-220-3 Full Pack |
| تصاعد نوع | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| طَرد | Tube | Bulk | Tube | Tube |
| FET الميزة | - | - | - | - |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| سلسلة | QFET® | QFET® | QFET® | QFET® |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 1100 pF @ 25 V | 960 pF @ 25 V | 880 pF @ 25 V | 680 pF @ 25 V |
| نوع FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | P-Channel |
| تجار الأجهزة حزمة | TO-220F-3 | TO-220F-3 | TO-220F-3 | TO-220F-3 |
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 2.5A (Tc) | 4A (Tc) | 2.2A (Tc) | 2.4A (Tc) |
| تبديد الطاقة (ماكس) | 47W (Tc) | 47W (Tc) | 43W (Tc) | 39W (Tc) |
| فغس (ماكس) | ±30V | ±30V | ±30V | ±30V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 30 nC @ 10 V | 22 nC @ 10 V | 25 nC @ 10 V | 23 nC @ 10 V |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 3.3Ohm @ 1.25A, 10V | 4.2Ohm @ 2A, 10V | 3.6Ohm @ 1.1A, 10V | 3.1Ohm @ 1.2A, 10V |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 5V @ 250µA | 5V @ 250µA | 5V @ 250µA | 5V @ 250µA |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) | 10V | 10V | 10V | 10V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 900 V | 900 V | 800 V | 400 V |
FQPF4N90CFairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4FQPF4N80Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 800V 2.2A TO220FFQPF4P40onsemiMOSFET P-CH 400V 2.4A TO220FFQPF4N90CTFairchild SemiconductorMOSFET N-CH 900V 4A TO220FFQPF4N50onsemiMOSFET N-CH 500V 2.3A TO220FFQPF4N60onsemiMOSFET N-CH 600V 2.6A TO220FFQPF4N90ConsemiMOSFET N-CH 900V 4A TO220FFQPF4N65Fairchild (onsemi)FQPF4N80onsemiMOSFET N-CH 800V 2.2A TO220FFQPF4N60Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 600V 2.6A TO220FFQPF4N80CFairchild (onsemi)FQPF4N90onsemiMOSFET N-CH 900V 2.5A TO220FFQPF50N06LonsemiMOSFET N-CH 60V 32.6A TO220FFQPF4N65CFairchild (onsemi)FQPF50N06onsemiMOSFET N-CH 60V 31A TO220FFQPF55N10onsemiMOSFET N-CH 100V 34.2A TO220FFQPF4N60CFairchild (onsemi)FQPF4N90CTonsemiMOSFET N-CH 900V 4A TO220F| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.