مواصفات التكنولوجيا FQPF9N30
المواصفات الفنية Fairchild Semiconductor - FQPF9N30 والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ Fairchild Semiconductor - FQPF9N30
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | Fairchild (onsemi) | |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 5V @ 250µA | |
| فغس (ماكس) | ±30V | |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | |
| تجار الأجهزة حزمة | TO-220F-3 | |
| سلسلة | QFET® | |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 450mOhm @ 3A, 10V | |
| تبديد الطاقة (ماكس) | 42W (Tc) | |
| حزمة / كيس | TO-220-3 Full Pack | |
| طَرد | Tube |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| تصاعد نوع | Through Hole | |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 740 pF @ 25 V | |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 22 nC @ 10 V | |
| نوع FET | N-Channel | |
| FET الميزة | - | |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) | 10V | |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 300 V | |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 6A (Tc) |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ Fairchild Semiconductor FQPF9N30.
| سمة المنتج |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | FQPF9N30 | FQPF9N50C | FQPF9N50CF | FQPF9N50 |
| الصانع | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor |
| FET الميزة | - | - | - | - |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 6A (Tc) | 9A (Tc) | 9A (Tc) | 5.3A (Tc) |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 300 V | 500 V | 500 V | 500 V |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 5V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 5V @ 250µA |
| طَرد | Tube | Bulk | Bulk | Tube |
| سلسلة | QFET® | QFET® | FRFET® | QFET® |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 450mOhm @ 3A, 10V | 800mOhm @ 4.5A, 10V | 850mOhm @ 4.5A, 10V | 730mOhm @ 2.65A, 10V |
| نوع FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| تبديد الطاقة (ماكس) | 42W (Tc) | 44W (Tc) | 44W (Tc) | 50W (Tc) |
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تجار الأجهزة حزمة | TO-220F-3 | TO-220-3 | TO-220F-3 | TO-220F-3 |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 22 nC @ 10 V | 35 nC @ 10 V | 35 nC @ 10 V | 36 nC @ 10 V |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) | 10V | - | 10V | 10V |
| تصاعد نوع | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| حزمة / كيس | TO-220-3 Full Pack | TO-220-3 | TO-220-3 Full Pack | TO-220-3 Full Pack |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 740 pF @ 25 V | 1030 pF @ 25 V | 1030 pF @ 25 V | 1450 pF @ 25 V |
| فغس (ماكس) | ±30V | ±30V | ±30V | ±30V |
FQPF9N25C MOSFairchild (onsemi)FQPF9N90FCFQPF9N25CRDTUFairchild Semiconductor8.8A, 250V, N-CHANNEL, MOSFETFQPF9N50CFairchild SemiconductorMOSFET N-CH 500V 9A TO220-3FQPF9N50CFFairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9FQPF9N50Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 500V 5.3A TO220FFQPF9N25CYDTUFairchild SemiconductorMOSFET N-CH 250V 8.8A TO220F-3
FQPF9N50onsemiMOSFET N-CH 500V 5.3A TO220FFQPF9N25CYDTU MOSFairchild (onsemi)FQPF9N25ConsemiMOSFET N-CH 250V 8.8A TO220FFQPF9N30onsemiMOSFET N-CH 300V 6A TO220FFQPF90N10V2 MOSFairchild (onsemi)
FQPF9N25CYDTUonsemiMOSFET N-CH 250V 8.8A TO220F-3
FQPF9N50CFonsemiPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9FQPF9N25CRDTU MOSFairchild (onsemi)FQPF9N15onsemiMOSFET N-CH 150V 6.9A TO220FFQPF9N50CF MOSFairchild (onsemi)FQPF9N50ConsemiMOSFET N-CH 500V 9A TO220F| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.