مواصفات التكنولوجيا HUF75229P3
المواصفات الفنية Fairchild Semiconductor - HUF75229P3 والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ Fairchild Semiconductor - HUF75229P3
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | Fairchild (onsemi) | |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 4V @ 250µA | |
| فغس (ماكس) | ±20V | |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | |
| تجار الأجهزة حزمة | TO-220-3 | |
| سلسلة | UltraFET™ | |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 22mOhm @ 44A, 10V | |
| تبديد الطاقة (ماكس) | 90W (Tc) | |
| حزمة / كيس | TO-220-3 | |
| طَرد | Tube |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| تصاعد نوع | Through Hole | |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 1060 pF @ 25 V | |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 75 nC @ 20 V | |
| نوع FET | N-Channel | |
| FET الميزة | - | |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) | 10V | |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 50 V | |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 44A (Tc) |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ Fairchild Semiconductor HUF75229P3.
| سمة المنتج |  |
|
|
|
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | HUF75229P3 | HUF75309D3 | HUF75307D3ST | HUF75307D3 |
| الصانع | Fairchild Semiconductor | Harris Corporation | Harris Corporation | Harris Corporation |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 22mOhm @ 44A, 10V | 70mOhm @ 17A, 10V | 90mOhm @ 13A, 10V | 90mOhm @ 15A, 10V |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) | 10V | - | - | 10V |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 44A (Tc) | 17A (Tc) | 15A (Tc) | 15A (Tc) |
| حزمة / كيس | TO-220-3 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| فغس (ماكس) | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| تصاعد نوع | Through Hole | Through Hole | Surface Mount | Through Hole |
| نوع FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 75 nC @ 20 V | 24 nC @ 20 V | 20 nC @ 20 V | 20 nC @ 20 V |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 1060 pF @ 25 V | 350 pF @ 25 V | 250 pF @ 25 V | 250 pF @ 25 V |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 50 V | 55 V | 55 V | 55 V |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA |
| تبديد الطاقة (ماكس) | 90W (Tc) | 45W (Tc) | 45W (Tc) | 45W (Tc) |
| تجار الأجهزة حزمة | TO-220-3 | I-PAK | TO-252, (D-Pak) | I-PAK |
| طَرد | Tube | Bulk | Bulk | Tube |
| سلسلة | UltraFET™ | - | UltraFET™ | UltraFET™ |
| FET الميزة | - | - | - | - |
HUF75307D3ST MOSFairchild (onsemi)HUF75309D3Harris CorporationN-CHANNEL POWER MOSFETHUF75307D3STHarris CorporationMOSFET N-CH 55V 15A TO252HUF75307D3Harris CorporationMOSFET N-CH 55V 15A IPAKHUF75307DS3SVBSEMIHUF75307D3SHARRIS
HUF75229P3onsemiMOSFET N-CH 50V 44A TO220-3HUF75307D3ST136Fairchild (onsemi)
HUF75307PIntersil (Renesas Electronics Corporation)HUF75307D3 MOSFairchild (onsemi)HUF75229P3 75229PFairchild (onsemi)HUF75307T3Fairchild (onsemi)HUF75307T3ST136Harris Corporation13A, 55V, 0.090 OHM, N CHANNEL,
HUF75307D3STonsemiMOSFET N-CH 55V 15A TO252AAHUF75307T3STFairchild SemiconductorMOSFET N-CH 55V 2.6A SOT223-4
HUF75307D3onsemiMOSFET N-CH 55V 15A IPAK
HUF75307T3STonsemiMOSFET N-CH 55V 2.6A SOT223-4HUF75307Fairchild (onsemi)| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.