مواصفات التكنولوجيا IRF530A
المواصفات الفنية Fairchild Semiconductor - IRF530A والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ Fairchild Semiconductor - IRF530A
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | Fairchild (onsemi) | |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 4V @ 250µA | |
| فغس (ماكس) | - | |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | |
| تجار الأجهزة حزمة | TO-220-3 | |
| سلسلة | - | |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 110mOhm @ 7A, 10V | |
| تبديد الطاقة (ماكس) | 55W (Tc) | |
| حزمة / كيس | TO-220-3 | |
| طَرد | Bulk |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| تصاعد نوع | Through Hole | |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 790 pF @ 25 V | |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 36 nC @ 10 V | |
| نوع FET | N-Channel | |
| FET الميزة | - | |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) | 10V | |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 100 V | |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 14A (Tc) |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ Fairchild Semiconductor IRF530A.
| سمة المنتج |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | IRF530A | IRF530NSPBF | IRF530L | IRF5305SPBF |
| الصانع | Fairchild Semiconductor | International Rectifier | Vishay Siliconix | Infineon Technologies |
| تبديد الطاقة (ماكس) | 55W (Tc) | 3.8W (Ta), 70W (Tc) | - | 3.8W (Ta), 110W (Tc) |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 36 nC @ 10 V | 37 nC @ 10 V | 26 nC @ 10 V | 63 nC @ 10 V |
| تجار الأجهزة حزمة | TO-220-3 | D2PAK | TO-262 | D2PAK |
| فغس (ماكس) | - | ±20V | ±20V | ±20V |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 790 pF @ 25 V | 920 pF @ 25 V | 670 pF @ 25 V | 1200 pF @ 25 V |
| FET الميزة | - | - | - | - |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 14A (Tc) | 17A (Tc) | 14A (Tc) | 31A (Tc) |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 110mOhm @ 7A, 10V | 90mOhm @ 9A, 10V | 160mOhm @ 8.4A, 10V | 60mOhm @ 16A, 10V |
| طَرد | Bulk | Bulk | Tube | Tube |
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| حزمة / كيس | TO-220-3 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) | 10V | 10V | 10V | 10V |
| تصاعد نوع | Through Hole | Surface Mount | Through Hole | Surface Mount |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA |
| سلسلة | - | HEXFET® | - | HEXFET® |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 100 V | 100 V | 100 V | 55 V |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| نوع FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | P-Channel |
IRF530NSPBFInternational RectifierHEXFET POWER MOSFETIRF530LVishay SiliconixMOSFET N-CH 100V 14A TO262IRF5305SPBFInfineon TechnologiesMOSFET P-CH 55V 31A D2PAKIRF5305STRRPBFInfineon TechnologiesMOSFET P-CH 55V 31A D2PAK
IRF530NPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 100V 17A TO220ABIRF5305STRIR
IRF530AonsemiMOSFET N-CH 100V 14A TO220-3IRF530NSInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 100V 17A D2PAKIRF530NSTRLIRIRF530NIRIRF5305S F5305SIRIRF5305S MOSIRIRF5305STRLPBFInfineon TechnologiesMOSFET P-CH 55V 31A D2PAKIRF530NSTRLPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 100V 17A D2PAKIRF5305TRPBFIRIRF5305S/F5305SIRIRF530NPBF MOSIRIRF5305STRPBFVBSEMI| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.