مواصفات التكنولوجيا IRFS540A
المواصفات الفنية Fairchild Semiconductor - IRFS540A والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ Fairchild Semiconductor - IRFS540A
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | Fairchild (onsemi) | |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 4V @ 250µA | |
| فغس (ماكس) | - | |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | |
| تجار الأجهزة حزمة | TO-220F-3 | |
| سلسلة | - | |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 52mOhm @ 8.5A, 10V | |
| تبديد الطاقة (ماكس) | 39W (Tc) | |
| حزمة / كيس | TO-220-3 Full Pack | |
| طَرد | Tube |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| تصاعد نوع | Through Hole | |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 1710 pF @ 25 V | |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 78 nC @ 10 V | |
| نوع FET | N-Channel | |
| FET الميزة | - | |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) | 10V | |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 100 V | |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 17A (Tc) |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ Fairchild Semiconductor IRFS540A.
| سمة المنتج |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | IRFS540A | IRFS540A | IRFS52N15DPBF | IRFS5620PBF |
| الصانع | Fairchild Semiconductor | onsemi | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 17A (Tc) | 17A (Tc) | 51A (Tc) | 24A (Tc) |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 5V @ 250µA | 5V @ 100µA |
| سلسلة | - | - | HEXFET® | - |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) | 10V | 10V | 10V | 10V |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 1710 pF @ 25 V | 1710 pF @ 25 V | 2770 pF @ 25 V | 1710 pF @ 50 V |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 52mOhm @ 8.5A, 10V | 52mOhm @ 8.5A, 10V | 32mOhm @ 36A, 10V | 77.5mOhm @ 15A, 10V |
| حزمة / كيس | TO-220-3 Full Pack | TO-220-3 Full Pack | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| FET الميزة | - | - | - | - |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| تصاعد نوع | Through Hole | Through Hole | Surface Mount | Surface Mount |
| تبديد الطاقة (ماكس) | 39W (Tc) | 39W (Tc) | 3.8W (Ta), 230W (Tc) | 144W (Tc) |
| نوع FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 100 V | 100 V | 150 V | 200 V |
| فغس (ماكس) | - | ±20V | ±30V | ±20V |
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| طَرد | Tube | Tube | Tube | Tube |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 78 nC @ 10 V | 78 nC @ 10 V | 89 nC @ 10 V | 38 nC @ 10 V |
| تجار الأجهزة حزمة | TO-220F-3 | TO-220F-3 | D2PAK | D2PAK |
IRFS52N15D MOSIRIRFS59N10DIRIRFS540AonsemiMOSFET N-CH 100V 17A TO220FIRFS52N15DPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 150V 51A D2PAKIRFS5615IR
IRFS52N15DTRLPBFCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IRFS52N15DTRRPBFIRIRFS5620PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 200V 24A D2PAKIRFS5615TRLPBFInternational RectifierIRFS5615 - DIGITAL AUDIO MOSFETIRFS52N15DTRIR
IRFS530AFairchild SemiconductorN-CHANNEL POWER MOSFETIRFS5615PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 150V 33A D2PAKIRFS52N15DTRLPInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 150V 51A D2PAKIRFS52N15DIRIRFS4710TRRPBFVBSEMIIRFS5615TRPBFVBSEMIIRFS5620IRIRFS5620TRLPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 200V 24A D2PAK| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.