مواصفات التكنولوجيا ISL9N312AD3ST
المواصفات الفنية Fairchild Semiconductor - ISL9N312AD3ST والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ Fairchild Semiconductor - ISL9N312AD3ST
سمة المنتج | قيمة السمة | |
---|---|---|
الصانع | Fairchild (onsemi) | |
VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 3V @ 250µA | |
فغس (ماكس) | ±20V | |
تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | |
تجار الأجهزة حزمة | TO-252AA | |
سلسلة | UltraFET™ | |
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 12mOhm @ 50A, 10V | |
تبديد الطاقة (ماكس) | 75W (Ta) | |
حزمة / كيس | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
طَرد | Bulk |
سمة المنتج | قيمة السمة | |
---|---|---|
درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
تصاعد نوع | Surface Mount | |
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 1450 pF @ 15 V | |
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 38 nC @ 10 V | |
نوع FET | N-Channel | |
FET الميزة | - | |
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) | 4.5V, 10V | |
استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 30 V | |
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 50A (Tc) |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ Fairchild Semiconductor ISL9N312AD3ST.
سمة المنتج | ||||
---|---|---|---|---|
رقم القطعة | ISL9N312AD3ST | ISL9N310AS3ST | ISL9N310AD3ST | ISL9N312AD3 |
الصانع | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor |
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 50A (Tc) | 62A (Tc) | 35A (Tc) | 50A (Tc) |
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 1450 pF @ 15 V | 1800 pF @ 15 V | 1800 pF @ 15 V | 1450 pF @ 15 V |
تجار الأجهزة حزمة | TO-252AA | TO-263AB | TO-252-3 (DPAK) | I-PAK |
تصاعد نوع | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Through Hole |
سلسلة | UltraFET™ | UltraFET® | UltraFET® | UltraFET® |
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 38 nC @ 10 V | 48 nC @ 10 V | 48 nC @ 10 V | 38 nC @ 10 V |
VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 3V @ 250µA | 3V @ 250µA | 3V @ 250µA | 3V @ 250µA |
حزمة / كيس | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
FET الميزة | - | - | - | - |
فغس (ماكس) | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 12mOhm @ 50A, 10V | 10Ohm @ 62A, 10A | 10Ohm @ 35A, 10A | 12mOhm @ 50A, 10V |
طَرد | Bulk | Bulk | Bulk | Bulk |
نوع FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
تبديد الطاقة (ماكس) | 75W (Ta) | 70W (Ta) | 70W (Ta) | 75W (Ta) |
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V |
استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 30 V | 30 V | 30 V | 30 V |
درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
---|---|---|
منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
البرازيل | 7 | |
أوروبا | ألمانيا | 5 |
المملكة المتحدة | 4 | |
إيطاليا | 5 | |
أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
نيوزيلندا | 5 | |
آسيا | الهند | 4 |
اليابان | 4 | |
الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
مرجع شحن DHL & FedEx | |
---|---|
رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.