مواصفات التكنولوجيا ISL9R30120G2
المواصفات الفنية Fairchild Semiconductor - ISL9R30120G2 والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ Fairchild Semiconductor - ISL9R30120G2
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | Fairchild (onsemi) | |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا | 3.3 V @ 30 A | |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس) | 1.2 V | |
| تكنولوجيا | Standard | |
| تجار الأجهزة حزمة | TO-247-2 | |
| سرعة | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| سلسلة | Stealth™ | |
| عكس وقت الاسترداد (TRR) | 100 ns |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| حزمة / كيس | TO-247-2 | |
| طَرد | Bulk | |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع | -55°C ~ 150°C | |
| تصاعد نوع | Through Hole | |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي | 100 µA @ 1.2 V | |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو) | 30A | |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F | - |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ Fairchild Semiconductor ISL9R30120G2.
| سمة المنتج |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | ISL9R30120G2 | ISL9R18120G2 | ISL9R3060P2 | ISL9R18120S3ST |
| الصانع | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | onsemi | onsemi |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي | 100 µA @ 1.2 V | 100 µA @ 1200 V | 100 µA @ 600 V | 100 µA @ 1200 V |
| تصاعد نوع | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Surface Mount |
| حزمة / كيس | TO-247-2 | TO-247-2 | TO-220-2 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 175°C | -55°C ~ 175°C |
| عكس وقت الاسترداد (TRR) | 100 ns | 70 ns | 45 ns | 300 ns |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو) | 30A | 18A | 30A | 18A |
| سلسلة | Stealth™ | Stealth™ | Stealth™ | Stealth™ |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس) | 1.2 V | 1200 V | 600 V | 1200 V |
| طَرد | Bulk | Bulk | Tube | Tape & Reel (TR) |
| تجار الأجهزة حزمة | TO-247-2 | TO-247-2 | TO-220-2 | D²PAK (TO-263) |
| تكنولوجيا | Standard | Standard | Standard | Standard |
| سرعة | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا | 3.3 V @ 30 A | 3.3 V @ 18 A | 2.4 V @ 30 A | 3.3 V @ 18 A |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F | - | - | - | - |
ISL9R18120G2Fairchild SemiconductorDIODE GEN PURP 1.2V 18A TO247-2ISL9R3060P2onsemiDIODE GEN PURP 600V 30A TO220-2ISL9R18120S3STonsemiDIODE GEN PURP 1.2KV 18A D2PAKISL9R3060P2/R3060P2Fairchild (onsemi)ISL9R18120G2onsemiDIODE GEN PURP 1.2KV 18A TO247-2ISL9R8120Fairchild (onsemi)ISL9R460PF2onsemiDIODE GEN PURP 600V 4A TO220F-2LISL9R1560S3STonsemiDIODE GEN PURP 600V 15A D2PAKISL9R18120P2onsemiDIODE GEN PURP 1.2KV 18A TO220-2ISL9R3060G2onsemiDIODE GEN PURP 600V 30A TO247-2ISL9R2480G2FSCISL9R1560S2Fairchild SemiconductorDIODE AVALANCHE 600V 15A I2PAKISL9R3060G2-F085onsemiDIODE GEN PURP 600V 30A TO247-2ISL9R1560S3SFairchild (onsemi)ISL9R30120G2onsemiDIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO247-2ISL9R460PF2Fairchild SemiconductorDIODE GEN PURP 600V 4A TO220F-2LISL9R460P2onsemiDIODE GEN PURP 600V 4A TO220-2ISL9R18120S3SFairchild| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.