مواصفات التكنولوجيا RFP8P10
المواصفات الفنية Fairchild Semiconductor - RFP8P10 والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ Fairchild Semiconductor - RFP8P10
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | Fairchild (onsemi) | |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 4V @ 250µA | |
| فغس (ماكس) | ±20V | |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | |
| تجار الأجهزة حزمة | TO-220AB | |
| سلسلة | - | |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 400mOhm @ 8A, 10V | |
| تبديد الطاقة (ماكس) | 75W (Tc) | |
| حزمة / كيس | TO-220-3 |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| طَرد | Bulk | |
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| تصاعد نوع | Through Hole | |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 1500 pF @ 25 V | |
| نوع FET | P-Channel | |
| FET الميزة | - | |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) | 10V | |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 100 V | |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 8A (Tc) |
| يصف | وصف |
|---|---|
| حالة RoHs | بنفايات غير متوافقة |
| مستوى حساسية الرطوبة (MSL) | 1 (Unlimited) |
| الوصول إلى الحالة | Vendor Undefined |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ Fairchild Semiconductor RFP8P10.
| سمة المنتج |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | RFP8P10 | RFP8P05 | RFP8P05 | RFPA0133 |
| الصانع | Fairchild Semiconductor | onsemi | Fairchild Semiconductor | RFMD/QORVO |
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | - |
| فغس (ماكس) | ±20V | - | - | - |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 1500 pF @ 25 V | - | - | - |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) | 10V | - | - | - |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 100 V | 50 V | 50 V | - |
| طَرد | Bulk | Tube | Tube | - |
| تصاعد نوع | Through Hole | Through Hole | Through Hole | - |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 8A (Tc) | 8A (Tc) | 8A (Tc) | - |
| حزمة / كيس | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | - |
| FET الميزة | - | - | - | - |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 400mOhm @ 8A, 10V | 300mOhm @ 8A, 10V | 300mOhm @ 8A, 10V | - |
| نوع FET | P-Channel | P-Channel | P-Channel | - |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | - |
| تبديد الطاقة (ماكس) | 75W (Tc) | - | - | - |
| تجار الأجهزة حزمة | TO-220AB | TO-220-3 | TO-220-3 | - |
| سلسلة | - | - | - | - |
RFPA0133RFMD/QORVORFP7N10LEFairchild (onsemi)
RFP75N75Intersil (Renesas Electronics Corporation)
RFPA0133TR7RFMDIC PROG PWR AMP 16-QFNRFP70N06 MOSHARRISRFPA1805QORVO
RFPA0133SRRFMDRFPA1012TR7QORVORFPA2013SBRFMDRFP8P05onsemiMOSFET P-CH 50V 8A TO220-3RFPA1012SRQORVORFPA1545QORVORFP8P06EVBSEMIRFP8N20LVBsemiRFP8P05Fairchild SemiconductorMOSFET P-CH 50V 8A TO220-3RFP8N18Fairchild (onsemi)RFPA2026QORVORFP70N10Intersil (Renesas Electronics Corporation)| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ يرجى إضافة إلى CART ، وسوف نتصل بك على الفور.