مواصفات التكنولوجيا SI9933BDY
المواصفات الفنية Fairchild Semiconductor - SI9933BDY والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ Fairchild Semiconductor - SI9933BDY
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | Fairchild (onsemi) | |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 1.5V @ 250µA | |
| تكنولوجيا | - | |
| تجار الأجهزة حزمة | 8-SOIC | |
| سلسلة | PowerTrench® | |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 75mOhm @ 3.2A, 4.5V | |
| السلطة - ماكس | 900mW (Ta) | |
| حزمة / كيس | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| طَرد | Bulk |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| تصاعد نوع | Surface Mount | |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 825pF @ 10V | |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 20nC @ 4.5V | |
| FET الميزة | - | |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 20V | |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 3.4A (Ta) | |
| ترتيب | 2 P-Channel (Dual) | |
| رقم المنتج الأساسي | SI9933 |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ Fairchild Semiconductor SI9933BDY.
| سمة المنتج |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | SI9933BDY | SI9933CDY-T1-E3 | SI9933CDY-T1-GE3 | SI9933BDY-T1-E3 |
| الصانع | Fairchild Semiconductor | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix |
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 175°C (TJ) | -50°C ~ 150°C (TJ) | -50°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| سلسلة | PowerTrench® | TrenchFET® | TrenchFET® | - |
| تكنولوجيا | - | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| طَرد | Bulk | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 20nC @ 4.5V | 26nC @ 10V | 26nC @ 10V | 9nC @ 4.5V |
| FET الميزة | - | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Logic Level Gate |
| تصاعد نوع | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 1.5V @ 250µA | 1.4V @ 250µA | 1.4V @ 250µA | 1.4V @ 250µA |
| حزمة / كيس | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| ترتيب | 2 P-Channel (Dual) | 2 P-Channel (Dual) | 2 P-Channel (Dual) | 2 P-Channel (Dual) |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 20V | 20V | 20V | 20V |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 3.4A (Ta) | 4A | 4A | 3.6A |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 75mOhm @ 3.2A, 4.5V | 58mOhm @ 4.8A, 4.5V | 58mOhm @ 4.8A, 4.5V | 60mOhm @ 4.7A, 4.5V |
| تجار الأجهزة حزمة | 8-SOIC | 8-SOIC | 8-SOIC | 8-SOIC |
| رقم المنتج الأساسي | SI9933 | SI9933 | SI9933 | SI9933 |
| السلطة - ماكس | 900mW (Ta) | 3.1W | 3.1W | 1.1W |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 825pF @ 10V | 665pF @ 10V | 665pF @ 10V | - |
SI9933CDY-T1-E3Vishay SiliconixMOSFET 2P-CH 20V 4A 8SOICSI9928DY-T1SI
SI9933ADYElectro-Films (EFI) / VishaySI9933CDY-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET 2P-CH 20V 4A 8-SOICSI9933CDYElectro-Films (EFI) / VishaySI9933BDY-T1Electro-Films (EFI) / VishaySI9933CDY-T1-GE3 MOSElectro-Films (EFI) / VishaySi9928DY-T1-E3Electro-Films (EFI) / VishaySI9933ADY-T1Electro-Films (EFI) / VishaySi9933ADY-T1-E3Electro-Films (EFI) / VishaySI9928DYSILICONIXSI9933BDY-T1-E3Vishay SiliconixMOSFET 2P-CH 20V 3.6A 8-SOICSI9933ADY-T1-GE3Electro-Films (EFI) / VishaySI9933ADY-T1-E3..Electro-Films (EFI) / VishaySI9933ADY-T1-E3.Electro-Films (EFI) / VishaySI9933BDY-T1-E3.VISSI9933DYElectro-Films (EFI) / VishaySI9933BDY-T1-GE3Electro-Films (EFI) / Vishay| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.