مواصفات التكنولوجيا 1N3671A
المواصفات الفنية GeneSiC Semiconductor - 1N3671A والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ GeneSiC Semiconductor - 1N3671A
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | GeneSiC Semiconductor | |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا | 1.1 V @ 12 A | |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس) | 800 V | |
| تكنولوجيا | Standard | |
| تجار الأجهزة حزمة | DO-4 | |
| سرعة | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | |
| سلسلة | - | |
| حزمة / كيس | DO-203AA, DO-4, Stud |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| طَرد | Bulk | |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع | -65°C ~ 200°C | |
| تصاعد نوع | Chassis, Stud Mount | |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي | 10 µA @ 50 V | |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو) | 12A | |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F | - | |
| رقم المنتج الأساسي | 1N3671 |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ GeneSiC Semiconductor 1N3671A.
| سمة المنتج |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | 1N3671A | 1N3672A | 1N3670 | 1N3671 |
| الصانع | GeneSiC Semiconductor | Microchip Technology | Solid State Inc. | Solid State Inc. |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع | -65°C ~ 200°C | -65°C ~ 200°C | -65°C ~ 200°C | -65°C ~ 200°C |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو) | 12A | 12A | 22A | 22A |
| سرعة | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| حزمة / كيس | DO-203AA, DO-4, Stud | DO-203AA, DO-4, Stud | DO-203AA, DO-4, Stud | DO-203AA, DO-4, Stud |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا | 1.1 V @ 12 A | 1.2 V @ 30 A | 1.2 V @ 30 A | 1.2 V @ 30 A |
| طَرد | Bulk | Bulk | Box | Box |
| تجار الأجهزة حزمة | DO-4 | DO-203AA (DO-4) | DO-4 | DO-4 |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F | - | - | - | - |
| رقم المنتج الأساسي | 1N3671 | - | - | - |
| تكنولوجيا | Standard | Standard | Standard | Standard |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي | 10 µA @ 50 V | - | 10 µA @ 700 V | 10 µA @ 800 V |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس) | 800 V | 900 V | 700 V | 800 V |
| سلسلة | - | - | - | - |
| تصاعد نوع | Chassis, Stud Mount | Stud Mount | Stud Mount | Stud Mount |
قم بتنزيل أوراق بيانات 1N3671A PDF ووثائق GeneSiC Semiconductor لـ 1N3671A - GeneSiC Semiconductor.
1N3672AMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP 900V 12A DO203AA1N3670Solid State Inc.DIODE GEN PURP 700V 22A DO41N3670BIRIGBT Module1N3671Solid State Inc.DIODE GEN PURP 800V 22A DO41N3671ASolid State Inc.DIODE GEN PURP 800V 22A DO41N3671AMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP 800V 12A DO203AA1N3670ASolid State Inc.DIODE GEN PURP 700V 22A DO41N3671Microchip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N3672Microchip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N3670RSolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 700V 22A DO41N3672Solid State Inc.DIODE GEN PURP 900V 22A DO41N3671BIRIGBT Module1N3672BIRIGBT Module1N3672ASolid State Inc.DIODE GEN PURP 900V 22A DO41N3671RSolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 800V 22A DO41N3670AMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP 700V 22A DO41N3670Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 700V 22A DO41N3672RSolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 900V 22A DO4| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.