مواصفات التكنولوجيا 1N3768R
المواصفات الفنية GeneSiC Semiconductor - 1N3768R والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ GeneSiC Semiconductor - 1N3768R
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | GeneSiC Semiconductor | |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا | 1.2 V @ 35 A | |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس) | 1000 V | |
| تكنولوجيا | Standard, Reverse Polarity | |
| تجار الأجهزة حزمة | DO-5 | |
| سرعة | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | |
| سلسلة | - | |
| حزمة / كيس | DO-203AB, DO-5, Stud |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| طَرد | Bulk | |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع | -65°C ~ 190°C | |
| تصاعد نوع | Chassis, Stud Mount | |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي | 10 µA @ 50 V | |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو) | 35A | |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F | - | |
| رقم المنتج الأساسي | 1N3768R |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ GeneSiC Semiconductor 1N3768R.
| سمة المنتج |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | 1N3768R | 1N3768 | 1N3879 | 1N3767 |
| الصانع | GeneSiC Semiconductor | Microchip Technology | GeneSiC Semiconductor | Solid State Inc. |
| رقم المنتج الأساسي | 1N3768R | 1N3768 | 1N3879 | - |
| سرعة | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس) | 1000 V | 1000 V | 50 V | 900 V |
| تجار الأجهزة حزمة | DO-5 | DO-203AB (DO-5) | DO-4 | DO-5 |
| طَرد | Bulk | Bulk | Bulk | Box |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو) | 35A | 35A | 6A | 40A |
| حزمة / كيس | DO-203AB, DO-5, Stud | DO-203AB, DO-5, Stud | DO-203AA, DO-4, Stud | DO-203AB, DO-5, Stud |
| سلسلة | - | - | - | - |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع | -65°C ~ 190°C | -65°C ~ 175°C | -65°C ~ 150°C | -65°C ~ 200°C |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا | 1.2 V @ 35 A | 1.4 V @ 110 A | 1.4 V @ 6 A | 1.19 V @ 90 A |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي | 10 µA @ 50 V | 10 µA @ 1000 V | 15 µA @ 50 V | 10 µA @ 900 V |
| تكنولوجيا | Standard, Reverse Polarity | Standard | Standard | Standard |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F | - | - | - | - |
| تصاعد نوع | Chassis, Stud Mount | Stud Mount | Chassis, Stud Mount | Stud Mount |
قم بتنزيل أوراق بيانات 1N3768R PDF ووثائق GeneSiC Semiconductor لـ 1N3768R - GeneSiC Semiconductor.
1N3768Microchip TechnologySTANDARD RECTIFIER
1N3879Solid State Inc.DO4 6 AMP FAST RECOVERY RECTIFIE1N3768AMSCIGBT Module1N3879GeneSiC SemiconductorDIODE GEN PURP 50V 6A DO41N3767Solid State Inc.DIODE GEN PURP 900V 40A DO51N3767Microchip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N3768RMicrochip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N3768RSolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 1KV 40A DO51N3879Microchip TechnologyFAST RECOVERY RECTIFIER1N3879JANTXMSC/STIGBT Module1N3768Solid State Inc.DIODE GEN PURP 1KV 40A DO51N3768GeneSiC SemiconductorDIODE GEN PURP 1KV 35A DO51N3879MotorolaDIODE GEN PURP 50V 6A DO203AA1N3766RMicrochip TechnologySTANDARD RECTIFIER
1N3821AAmphenol SSI Technologies1N3879MMSC/STIGBT Module1N3879JANMSC/STIGBT Module1N3767GeneSiC SemiconductorDIODE GEN PURP 900V 35A DO5| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.