مواصفات التكنولوجيا 1N5829
المواصفات الفنية GeneSiC Semiconductor - 1N5829 والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ GeneSiC Semiconductor - 1N5829
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | GeneSiC Semiconductor | |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا | 580 mV @ 25 A | |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس) | 20 V | |
| تكنولوجيا | Schottky | |
| تجار الأجهزة حزمة | DO-4 | |
| سرعة | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| سلسلة | - | |
| حزمة / كيس | DO-203AA, DO-4, Stud |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| طَرد | Bulk | |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع | -55°C ~ 150°C | |
| تصاعد نوع | Chassis, Stud Mount | |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي | 2 mA @ 20 V | |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو) | 25A | |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F | - | |
| رقم المنتج الأساسي | 1N5829 |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ GeneSiC Semiconductor 1N5829.
| سمة المنتج |  |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | 1N5829 | 1N5830 | 1N5826 | 1N5831 |
| الصانع | GeneSiC Semiconductor | GeneSiC Semiconductor | GeneSiC Semiconductor | Solid State Inc. |
| تصاعد نوع | Chassis, Stud Mount | Chassis, Stud Mount | Chassis, Stud Mount | Stud Mount |
| تجار الأجهزة حزمة | DO-4 | DO-4 | DO-5 | DO-4 |
| سرعة | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C | -65°C ~ 150°C | -65°C ~ 125°C |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس) | 20 V | 25 V | 20 V | 40 V |
| رقم المنتج الأساسي | 1N5829 | 1N5830 | 1N5826 | - |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا | 580 mV @ 25 A | 580 mV @ 25 A | 440 mV @ 15 A | 480 mV @ 25 A |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو) | 25A | 25A | 15A | 25A |
| طَرد | Bulk | Bulk | Bulk | Bulk |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F | - | - | - | 1650pF @ 5V, 1MHz |
| حزمة / كيس | DO-203AA, DO-4, Stud | DO-203AA, DO-4, Stud | DO-203AB, DO-5, Stud | DO-203AA, DO-4, Stud |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي | 2 mA @ 20 V | 2 mA @ 20 V | 10 mA @ 20 V | 3 mA @ 40 V |
| تكنولوجيا | Schottky | Schottky | Schottky | Schottky |
| سلسلة | - | - | - | - |
قم بتنزيل أوراق بيانات 1N5829 PDF ووثائق GeneSiC Semiconductor لـ 1N5829 - GeneSiC Semiconductor.
1N5830GeneSiC SemiconductorDIODE SCHOTTKY 25V 25A DO41N5826GeneSiC SemiconductorDIODE SCHOTTKY 20V 15A DO51N5831Solid State Inc.DIODE SCHOTTKY 40V 25A DO4
1N5827Microchip Technology5A SCHOTTKY RECTIFIER
1N5832Solid State Inc.DIODE SCHOTTKY 20V 40A DO51N5827Solid State Inc.DIODE SCHOTTKY 30V 15A DO41N5829Microchip TechnologyDIODE SCHOTTKY 20V 25A DO203AA1N5828Solid State Inc.DIODE SCHOTTKY 40V 15A DO41N5826Solid State Inc.DIODE SCHOTTKY 20V 15A DO41N5826Microchip Technology5A SCHOTTKY RECTIFIER1N5828Microchip TechnologyDIODE SCHOTTKY 40V 15A DO203AA1N5828GeneSiC SemiconductorDIODE SCHOTTKY 40V 15A DO51N5831Microchip TechnologyDIODE SCHOTTKY 40V 25A DO203AA1N5829Solid State Inc.DIODE SCHOTTKY 20V 25A DO41N5830Solid State Inc.DIODE SCHOTTKY 30V 25A DO41N5827GeneSiC SemiconductorDIODE SCHOTTKY 30V 15A DO51N5830Microchip TechnologyDIODE SCHOTTKY 30V 25A DO203AA1N5831GeneSiC SemiconductorDIODE SCHOTTKY 35V 25A DO4| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.