مواصفات التكنولوجيا MBR12040CT
المواصفات الفنية GeneSiC Semiconductor - MBR12040CT والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ GeneSiC Semiconductor - MBR12040CT
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | GeneSiC Semiconductor | |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا | 650 mV @ 120 A | |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس) | 40 V | |
| تكنولوجيا | Schottky | |
| تجار الأجهزة حزمة | Twin Tower | |
| سرعة | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| سلسلة | - | |
| حزمة / كيس | Twin Tower |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| طَرد | Bulk | |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع | -55°C ~ 150°C | |
| تصاعد نوع | Chassis Mount | |
| تكوين الصمام الثنائي | 1 Pair Common Cathode | |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي | 3 mA @ 20 V | |
| التيار - متوسط مصحح (أيو) (لكل ديود) | 120A (DC) | |
| رقم المنتج الأساسي | MBR12040 |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ GeneSiC Semiconductor MBR12040CT.
| سمة المنتج |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | MBR12040CT | MBR12045CT | MBR12080CT | MBR12020CT |
| الصانع | GeneSiC Semiconductor | GeneSiC Semiconductor | GeneSiC Semiconductor | GeneSiC Semiconductor |
| تكنولوجيا | Schottky | Schottky | Schottky | Schottky |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس) | 40 V | 45 V | 80 V | 20 V |
| تصاعد نوع | Chassis Mount | Chassis Mount | Chassis Mount | Chassis Mount |
| سلسلة | - | - | - | - |
| التيار - متوسط مصحح (أيو) (لكل ديود) | 120A (DC) | 120A (DC) | 120A (DC) | 120A (DC) |
| تجار الأجهزة حزمة | Twin Tower | Twin Tower | Twin Tower | Twin Tower |
| سرعة | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| رقم المنتج الأساسي | MBR12040 | MBR12045 | MBR12080 | MBR12020 |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C | - | -55°C ~ 150°C |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي | 3 mA @ 20 V | 3 mA @ 20 V | 3 mA @ 20 V | 3 mA @ 20 V |
| تكوين الصمام الثنائي | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Anode | 1 Pair Common Cathode |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا | 650 mV @ 120 A | 650 mV @ 60 A | 840 mV @ 60 A | 650 mV @ 120 A |
| طَرد | Bulk | Bulk | Bulk | Bulk |
| حزمة / كيس | Twin Tower | Twin Tower | Twin Tower | Twin Tower |
قم بتنزيل أوراق بيانات MBR12040CT PDF ووثائق GeneSiC Semiconductor لـ MBR12040CT - GeneSiC Semiconductor.
MBR12045CTGeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 45V 120A 2TOWERMBR12040RMOTOROLAIGBT ModuleMBR12080CTGeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 80V 120A 2TOWERMBR12045RMOTOROLAIGBT ModuleMBR12080MOTOROLAIGBT ModuleMBR12020CTGeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 20V 120A 2TOWERMBR12030MOTOROLAIGBT ModuleMBR12060CTGeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 60V 120A 2TOWERMBR12030RMOTOROLAIGBT ModuleMBR12035CTGeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 35V 120A 2TOWERMBR12040MOTOROLAIGBT ModuleMBR12035RMOTOROLAIGBT ModuleMBR12020MOTOROLAIGBT ModuleMBR12030CTGeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 30V 120A 2TOWERMBR12060RMOTOROLAIGBT ModuleMBR12060MOTOROLAIGBT ModuleMBR12020RMOTOROLAIGBT ModuleMBR12050CTMOTOROLAIGBT Module| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.