مواصفات التكنولوجيا MURT20060
المواصفات الفنية GeneSiC Semiconductor - MURT20060 والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ GeneSiC Semiconductor - MURT20060
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | GeneSiC Semiconductor | |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا | 1.7 V @ 100 A | |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس) | 600 V | |
| تكنولوجيا | Standard | |
| تجار الأجهزة حزمة | Three Tower | |
| سرعة | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| سلسلة | - | |
| عكس وقت الاسترداد (TRR) | 160 ns |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| حزمة / كيس | Three Tower | |
| طَرد | Bulk | |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع | -55°C ~ 150°C | |
| تصاعد نوع | Chassis Mount | |
| تكوين الصمام الثنائي | 1 Pair Common Cathode | |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي | 25 µA @ 50 V | |
| التيار - متوسط مصحح (أيو) (لكل ديود) | 100A |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ GeneSiC Semiconductor MURT20060.
| سمة المنتج |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | MURT20060 | MURT30020 | MURT30040 | MURT20040 |
| الصانع | GeneSiC Semiconductor | GeneSiC Semiconductor | GeneSiC Semiconductor | GeneSiC Semiconductor |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس) | 600 V | 200 V | 400 V | 400 V |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا | 1.7 V @ 100 A | 1.3 V @ 150 A | 1.35 V @ 150 A | 1.35 V @ 100 A |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي | 25 µA @ 50 V | 25 µA @ 50 V | 25 µA @ 50 V | 25 µA @ 50 V |
| سرعة | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| تكوين الصمام الثنائي | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode |
| تكنولوجيا | Standard | Standard | Standard | Standard |
| تجار الأجهزة حزمة | Three Tower | Three Tower | Three Tower | Three Tower |
| حزمة / كيس | Three Tower | Three Tower | Three Tower | Three Tower |
| تصاعد نوع | Chassis Mount | Chassis Mount | Chassis Mount | Chassis Mount |
| التيار - متوسط مصحح (أيو) (لكل ديود) | 100A | 150A | 150A | 100A |
| طَرد | Bulk | Bulk | Bulk | Bulk |
| سلسلة | - | - | - | - |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C |
| عكس وقت الاسترداد (TRR) | 160 ns | 100 ns | 150 ns | 90 ns |
قم بتنزيل أوراق بيانات MURT20060 PDF ووثائق GeneSiC Semiconductor لـ MURT20060 - GeneSiC Semiconductor.
MURT300120IXFNIGBT ModuleMURT30020GeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 200V 150A 3TOWERMURT30040GeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 400V 150A 3TOWERMURT200120DACOIGBT ModuleMURT300A60IXFNIGBT ModuleMURT201120IXFNIGBT ModuleMURT200A60IXFNIGBT ModuleMURT20040GeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 400V 100A 3TOWER
MURS480ET3GonsemiDIODE GEN PURP 800V 4A SMC
MURS460CDiodes IncorporatedDIODE GEN PURP 600V 4A SMC TR 3KMURT20060PLRIXFNIGBT ModuleMURT20020GeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 200V 100A 3TOWER
MURS460Yangjie TechnologySMC 600V 4.0A Diodes RectifierMURT20060PLIXFNIGBT ModuleMURS440GOOD-ARKMURS420LGEMURT30060GeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 600V 150A 3TOWERMURS360T3GonsemiDIODE GEN PURP 600V 3A SMC| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.