مواصفات التكنولوجيا HGT1S7N60B3DS
المواصفات الفنية Harris Corporation - HGT1S7N60B3DS والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ Harris Corporation - HGT1S7N60B3DS
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | Harris Corporation | |
| الجهد - جامع باعث انهيار (ماكس) | 600 V | |
| VCE (على) (ماكس) @ Vge، جيم | 2.1V @ 15V, 7A | |
| اختبار حالة | 480V, 7A, 50Ohm, 15V | |
| تد (تشغيل / إيقاف) @ 25 ° C | 26ns/130ns | |
| تحويل الطاقة | 160µJ (on), 120µJ (off) | |
| تجار الأجهزة حزمة | TO-263AB | |
| سلسلة | - | |
| عكس وقت الاسترداد (TRR) | 37 ns | |
| السلطة - ماكس | 60 W |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| حزمة / كيس | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| طَرد | Bulk | |
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| تصاعد نوع | Surface Mount | |
| نوع المدخلات | Standard | |
| نوع IGBT | - | |
| بوابة المسؤول | 30 nC | |
| الحالي - جامع نابض (آي سي إم) | 56 A | |
| الحالي - جامع (IC) (ماكس) | 14 A |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ Harris Corporation HGT1S7N60B3DS.
| سمة المنتج | |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | HGT1S7N60B3DS | HGT1S7N60C3D | HGT1S7N60C3DS9A | HGT1S7N60B3 |
| الصانع | Harris Corporation | Fairchild Semiconductor | Harris Corporation | Harris Corporation |
| اختبار حالة | 480V, 7A, 50Ohm, 15V | - | 480V, 7A, 50Ohm, 15V | 480V, 7A, 50Ohm, 15V |
| عكس وقت الاسترداد (TRR) | 37 ns | 25 ns | 37 ns | - |
| نوع المدخلات | Standard | Standard | Standard | Standard |
| حزمة / كيس | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| الحالي - جامع (IC) (ماكس) | 14 A | 14 A | 14 A | 14 A |
| تصاعد نوع | Surface Mount | Through Hole | Surface Mount | Through Hole |
| طَرد | Bulk | Bulk | Bulk | Bulk |
| بوابة المسؤول | 30 nC | 38 nC | 23 nC | 30 nC |
| نوع IGBT | - | - | - | - |
| تحويل الطاقة | 160µJ (on), 120µJ (off) | - | 165µJ (on), 600µJ (off) | 160µJ (on), 120µJ (off) |
| تد (تشغيل / إيقاف) @ 25 ° C | 26ns/130ns | - | - | 26ns/130ns |
| VCE (على) (ماكس) @ Vge، جيم | 2.1V @ 15V, 7A | 2V @ 15V, 7A | 2V @ 15V, 7A | 2.1V @ 15V, 7A |
| سلسلة | - | - | - | - |
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) | - | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تجار الأجهزة حزمة | TO-263AB | I2PAK (TO-262) | TO-263AB | I2PAK (TO-262) |
| السلطة - ماكس | 60 W | 60 W | 60 W | 60 W |
| الجهد - جامع باعث انهيار (ماكس) | 600 V | 600 V | 600 V | 600 V |
| الحالي - جامع نابض (آي سي إم) | 56 A | 56 A | 56 A | 56 A |
HGT1S7N60C3DFairchild SemiconductorIGBT, 14A, 600V, N-CHANNEL
HGT4E20N60A4DSIntersil (Renesas Electronics Corporation)HGT1S7N60C3DS9AHarris Corporation14A, 600V, UFS N-CHANNEL IGBT W/HGT1S7N60B3Harris Corporation14A, 600V, N-CHANNEL IGBTHGTD1N120BNS 1N120BFairchild (onsemi)HGTD3N60C3SHarris Corporation6A, 600V, UFS SERIES N-CHANNEL IHGT1S7N60A4DFairchild (onsemi)HGT1S7N60A4DSFairchild SemiconductorN-CHANNEL IGBT
HGTD1N120BNS9AonsemiIGBT 1200V 5.3A 60W TO252AAHGT1S5N120CNDSFairchild (onsemi)HGT1S7N60C3DHarris CorporationHGT1S7N60 - N-CHANNEL INSULATEDHGT1S7N60A4DS9AFairchild SemiconductorIGBT, 34A, 600V, N-CHANNELHGT1S7N60C3DSFairchildHGT1S7N60A4DS.G7N60A4DFairchild (onsemi)HGT1S7N60A4DS9A MOSFairchild (onsemi)HGT1S7N60A4S9AFairchild (onsemi)
HGT1S7N60A4DSonsemiIGBT 600V 34A 125W TO263ABHGT1S7N60C3DS9AonsemiIGBT 600V 14A 60W TO263AB| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.