مواصفات التكنولوجيا IRF542
المواصفات الفنية Harris Corporation - IRF542 والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ Harris Corporation - IRF542
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | Harris Corporation | |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 4V @ 250µA | |
| فغس (ماكس) | ±20V | |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | |
| تجار الأجهزة حزمة | TO-220AB | |
| سلسلة | - | |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 100mOhm @ 17A, 10V | |
| تبديد الطاقة (ماكس) | 150W (Tc) | |
| حزمة / كيس | TO-220-3 | |
| طَرد | Bulk |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| تصاعد نوع | Through Hole | |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 1450 pF @ 25 V | |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 59 nC @ 10 V | |
| نوع FET | N-Channel | |
| FET الميزة | - | |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) | 10V | |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 100 V | |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 25A (Tc) |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ Harris Corporation IRF542.
| سمة المنتج | |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | IRF542 | IRF540ZS | IRF5802 | IRF540Z |
| الصانع | Harris Corporation | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| حزمة / كيس | TO-220-3 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | TO-220-3 |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| طَرد | Bulk | Tube | Tube | Tube |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 1450 pF @ 25 V | 1770 pF @ 25 V | 88 pF @ 25 V | 1770 pF @ 25 V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 59 nC @ 10 V | 63 nC @ 10 V | 6.8 nC @ 10 V | 63 nC @ 10 V |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) | 10V | 10V | 10V | 10V |
| سلسلة | - | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 100 V | 100 V | 150 V | 100 V |
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| فغس (ماكس) | ±20V | ±20V | ±30V | ±20V |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 100mOhm @ 17A, 10V | 26.5mOhm @ 22A, 10V | 1.2Ohm @ 540mA, 10V | 26.5mOhm @ 22A, 10V |
| تصاعد نوع | Through Hole | Surface Mount | Surface Mount | Through Hole |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 5.5V @ 250µA | 4V @ 250µA |
| تبديد الطاقة (ماكس) | 150W (Tc) | 92W (Tc) | 2W (Ta) | 92W (Tc) |
| FET الميزة | - | - | - | - |
| نوع FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 25A (Tc) | 36A (Tc) | 900mA (Ta) | 36A (Tc) |
| تجار الأجهزة حزمة | TO-220AB | D2PAK | Micro6™(TSOP-6) | TO-220AB |
IRF540ZSInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 100V 36A D2PAKIRF5802Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 150V 900MA MICRO6IRF540ZInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 100V 36A TO220ABIRF541Harris CorporationN-CHANNEL POWER MOSFETIRF543Harris CorporationN-CHANNEL POWER MOSFETIRF5801TRPBF MOSIRIRF540ZPBF MOSIRIRF540ZSPBF MOSIR
IRF540STRLPBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 100V 28A D2PAKIRF5800TRInfineon TechnologiesMOSFET P-CH 30V 4A MICRO6IRF5800TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET P-CH 30V 4A MICRO6IRF540ZPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 100V 36A TO220ABIRF5801TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 200V 600MA MICRO6IRF5802TRInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 150V 0.9A 6-TSOPIRF540ZSTRLPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 100V 36A D2PAKIRF5802D2TRPBFIRIRF540STRRPBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 100V 28A D2PAK
IRF5620PBFCypress Semiconductor (Infineon Technologies)| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.