مواصفات التكنولوجيا IRF623
المواصفات الفنية Harris Corporation - IRF623 والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ Harris Corporation - IRF623
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | Harris Corporation | |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 4V @ 250µA | |
| فغس (ماكس) | ±20V | |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | |
| تجار الأجهزة حزمة | TO-220-3 | |
| سلسلة | - | |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 1.2Ohm @ 2.5A, 10V | |
| تبديد الطاقة (ماكس) | 40W (Tc) | |
| حزمة / كيس | TO-220-3 | |
| طَرد | Bulk |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| تصاعد نوع | Through Hole | |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 450 pF @ 25 V | |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 15 nC @ 10 V | |
| نوع FET | N-Channel | |
| FET الميزة | - | |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) | 10V | |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 150 V | |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 4A (Tc) |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ Harris Corporation IRF623.
| سمة المنتج | |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | IRF623 | IRF624PBF | IRF6218SPBF | IRF624SPBF |
| الصانع | Harris Corporation | Vishay Siliconix | Infineon Technologies | Vishay Siliconix |
| تبديد الطاقة (ماكس) | 40W (Tc) | 50W (Tc) | 250W (Tc) | 3.1W (Ta), 50W (Tc) |
| سلسلة | - | - | HEXFET® | - |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 4A (Tc) | 4.4A (Tc) | 27A (Tc) | 4.4A (Tc) |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 150 V | 250 V | 150 V | 250 V |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) | 10V | 10V | 10V | 10V |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 5V @ 250µA | 4V @ 250µA |
| تصاعد نوع | Through Hole | Through Hole | Surface Mount | Surface Mount |
| فغس (ماكس) | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 450 pF @ 25 V | 260 pF @ 25 V | 2210 pF @ 25 V | 260 pF @ 25 V |
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تجار الأجهزة حزمة | TO-220-3 | TO-220AB | D2PAK | D²PAK (TO-263) |
| نوع FET | N-Channel | N-Channel | P-Channel | N-Channel |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 15 nC @ 10 V | 14 nC @ 10 V | 110 nC @ 10 V | 14 nC @ 10 V |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| حزمة / كيس | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 1.2Ohm @ 2.5A, 10V | 1.1Ohm @ 2.6A, 10V | 150mOhm @ 16A, 10V | 1.1Ohm @ 2.6A, 10V |
| طَرد | Bulk | Tube | Tube | Tube |
| FET الميزة | - | - | - | - |
IRF624PBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 250V 4.4A TO220ABIRF622IRF6218SPBFInfineon TechnologiesMOSFET P-CH 150V 27A D2PAKIRF624SPBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 250V 4.4A D2PAKIRF6218SIRIRF624Vishay SiliconixMOSFET N-CH 250V 4.4A TO220ABIRF624BFSCIRF624STR MOSIR
IRF6218PBFInternational RectifierAUTOMOTIVE HEXFET P-CHANNELIRF6218PBF.IRIRF6217TRPBF.IRIRF6218IR
IRF624AFairchild (onsemi)IRF6218STRLPBFInfineon TechnologiesMOSFET P-CH 150V 27A D2PAKIRF624Harris CorporationMOSFET N-CH 250V 4.4A TO220ABIRF630Harris CorporationMOSFET N-CH 200V 9A TO220ABIRF6218S MOSIR
IRF624PBF MOSElectro-Films (EFI) / Vishay| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.