مواصفات التكنولوجيا IRF730
المواصفات الفنية Harris Corporation - IRF730 والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ Harris Corporation - IRF730
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | Harris Corporation | |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 4V @ 250µA | |
| فغس (ماكس) | ±20V | |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | |
| تجار الأجهزة حزمة | TO-220 | |
| سلسلة | PowerMESH™ II | |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 1Ohm @ 3A, 10V | |
| تبديد الطاقة (ماكس) | 100W (Tc) | |
| حزمة / كيس | TO-220-3 | |
| طَرد | Bulk |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| درجة حرارة التشغيل | 150°C (TJ) | |
| تصاعد نوع | Through Hole | |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 530 pF @ 25 V | |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 24 nC @ 10 V | |
| نوع FET | N-Channel | |
| FET الميزة | - | |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) | 10V | |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 400 V | |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 5.5A (Tc) | |
| رقم المنتج الأساسي | IRF7 |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ Harris Corporation IRF730.
| سمة المنتج | |
|
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | IRF730 | IRF730 | IRF7241TRPBF | IRF730 |
| الصانع | Harris Corporation | NTE Electronics, Inc | Infineon Technologies | STMicroelectronics |
| رقم المنتج الأساسي | IRF7 | - | IRF7241 | IRF7 |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 1Ohm @ 3A, 10V | 1Ohm @ 3.3A, 10V | 41mOhm @ 6.2A, 10V | 1Ohm @ 3A, 10V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 400 V | 400 V | 40 V | 400 V |
| FET الميزة | - | - | - | - |
| فغس (ماكس) | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| نوع FET | N-Channel | N-Channel | P-Channel | N-Channel |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 5.5A (Tc) | 5.5A (Tc) | 6.2A (Ta) | 5.5A (Tc) |
| سلسلة | PowerMESH™ II | - | HEXFET® | PowerMESH™ II |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 24 nC @ 10 V | 38 nC @ 10 V | 80 nC @ 10 V | 24 nC @ 10 V |
| حزمة / كيس | TO-220-3 | TO-220-3 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | TO-220-3 |
| تجار الأجهزة حزمة | TO-220 | TO-220 | 8-SO | TO-220 |
| درجة حرارة التشغيل | 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | 150°C (TJ) |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) | 10V | 10V | 4.5V, 10V | 10V |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| طَرد | Bulk | Bag | Tape & Reel (TR) | Tube |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 3V @ 250µA | 4V @ 250µA |
| تصاعد نوع | Through Hole | Through Hole | Surface Mount | Through Hole |
| تبديد الطاقة (ماكس) | 100W (Tc) | 74W (Tc) | 2.5W (Ta) | 100W (Tc) |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 530 pF @ 25 V | 700 pF @ 25 V | 3220 pF @ 25 V | 530 pF @ 25 V |
IRF730NTE Electronics, IncMOSFET N-CH 400V 5.5A TO220IRF7303IRIRF7241TRPBF MOSIRIRF7303PBFInfineon TechnologiesMOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8-SOICIRF7301TRIRIRF7301TRPBF MOSIRIRF7301PBFInfineon TechnologiesMOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8-SOICIRF7303TRIRIRF7241TR MOSIRIRF7301TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8-SOICIRF7241TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET P-CH 40V 6.2A 8SOIRF730STMicroelectronicsMOSFET N-CH 400V 5.5A TO220ABIRF7241Infineon TechnologiesMOSFET P-CH 40V 6.2A 8SOIRF7241TRInfineon TechnologiesMOSFET P-CH 40V 6.2A 8SOIRF7301IR
IRF730onsemiMOSFET N-CH 400V 5.5A TO220AB
IRF730Vishay SiliconixMOSFET N-CH 400V 5.5A TO220AB
IRF7241PBFInternational RectifierHEXFET POWER MOSFET| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.