مواصفات التكنولوجيا IRF9530
المواصفات الفنية Harris Corporation - IRF9530 والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ Harris Corporation - IRF9530
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | Harris Corporation | |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 4V @ 250µA | |
| فغس (ماكس) | ±20V | |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | |
| تجار الأجهزة حزمة | TO-220AB | |
| سلسلة | - | |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 300mOhm @ 6.5A, 10V | |
| تبديد الطاقة (ماكس) | 75W (Tc) | |
| حزمة / كيس | TO-220-3 |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| طَرد | Bulk | |
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| تصاعد نوع | Through Hole | |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 500 pF @ 25 V | |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 45 nC @ 10 V | |
| نوع FET | P-Channel | |
| FET الميزة | - | |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 100 V | |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 12A (Tc) |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ Harris Corporation IRF9530.
| سمة المنتج | |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | IRF9530 | IRF9520SPBF | IRF9520S | IRF9530 |
| الصانع | Harris Corporation | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 500 pF @ 25 V | 390 pF @ 25 V | 390 pF @ 25 V | 860 pF @ 25 V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 100 V | 100 V | 100 V | 100 V |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 300mOhm @ 6.5A, 10V | 600mOhm @ 4.1A, 10V | 600mOhm @ 4.1A, 10V | 300mOhm @ 7.2A, 10V |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 12A (Tc) | 6.8A (Tc) | 6.8A (Tc) | 12A (Tc) |
| سلسلة | - | - | - | - |
| FET الميزة | - | - | - | - |
| طَرد | Bulk | Tube | Tube | Tube |
| تبديد الطاقة (ماكس) | 75W (Tc) | 3.7W (Ta), 60W (Tc) | 3.7W (Ta), 60W (Tc) | 88W (Tc) |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 45 nC @ 10 V | 18 nC @ 10 V | 18 nC @ 10 V | 38 nC @ 10 V |
| تجار الأجهزة حزمة | TO-220AB | D²PAK (TO-263) | D²PAK (TO-263) | TO-220AB |
| تصاعد نوع | Through Hole | Surface Mount | Surface Mount | Through Hole |
| فغس (ماكس) | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA |
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| حزمة / كيس | TO-220-3 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-220-3 |
| نوع FET | P-Channel | P-Channel | P-Channel | P-Channel |
IRF9520SPBFVishay SiliconixMOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAKIRF9520SVishay SiliconixMOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAKIRF9530Vishay SiliconixMOSFET P-CH 100V 12A TO220AB
IRF9520PBF MOSElectro-Films (EFI) / VishayIRF9530NLPBF MOSIRIRF9520STRRPBFVishay SiliconixMOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAKIRF9520PBFVishay SiliconixMOSFET P-CH 100V 6.8A TO220ABIRF9530N MEXIR
IRF9530NPBFInfineon TechnologiesMOSFET P-CH 100V 14A TO220ABIRF9530NPBF MOSIRIRF9530NLPBFIRIRF9520STRLVishay SiliconixMOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAKIRF9530N MOSIRIRF9520STRPBFIRIRF9520S F9520SIR
IRF9530NSInfineon TechnologiesMOSFET P-CH 100V 14A D2PAK
IRF9530NCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IRF9520STRLPBFVishay SiliconixMOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAK| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.