مواصفات التكنولوجيا DHG60I1200HA
المواصفات الفنية IXYS - DHG60I1200HA والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ IXYS - DHG60I1200HA
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | IXYS Corporation | |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا | 2.32 V @ 60 A | |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس) | 1200 V | |
| تكنولوجيا | Standard | |
| تجار الأجهزة حزمة | TO-247AD | |
| سرعة | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| سلسلة | - | |
| عكس وقت الاسترداد (TRR) | 200 ns |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| حزمة / كيس | TO-247-2 | |
| طَرد | Tube | |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع | -55°C ~ 150°C | |
| تصاعد نوع | Through Hole | |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي | 125 µA @ 1200 V | |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو) | 60A | |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F | - | |
| رقم المنتج الأساسي | DHG60 |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ IXYS DHG60I1200HA.
| سمة المنتج |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | DHG60I1200HA | DHG10I1800PA | SS2PH9-M3/85A | 1N3672 |
| الصانع | IXYS | IXYS | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Solid State Inc. |
| تصاعد نوع | Through Hole | Through Hole | Surface Mount | Stud Mount |
| سلسلة | - | - | eSMP® | - |
| حزمة / كيس | TO-247-2 | TO-220-2 | DO-220AA | DO-203AA, DO-4, Stud |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس) | 1200 V | 1800 V | 90 V | 900 V |
| سرعة | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي | 125 µA @ 1200 V | 50 µA @ 1800 V | 1 µA @ 90 V | 10 µA @ 900 V |
| عكس وقت الاسترداد (TRR) | 200 ns | 300 ns | - | - |
| طَرد | Tube | Tube | Tape & Reel (TR) | Box |
| رقم المنتج الأساسي | DHG60 | DHG10 | SS2PH9 | - |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 175°C | -65°C ~ 200°C |
| تكنولوجيا | Standard | Standard | Schottky | Standard |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا | 2.32 V @ 60 A | 2.23 V @ 10 A | 800 mV @ 2 A | 1.2 V @ 30 A |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F | - | 3pF @ 900V, 1MHz | 65pF @ 4V, 1MHz | - |
| تجار الأجهزة حزمة | TO-247AD | TO-220AC | DO-220AA (SMP) | DO-4 |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو) | 60A | 10A | 2A | 22A |
قم بتنزيل أوراق بيانات DHG60I1200HA PDF ووثائق IXYS لـ DHG60I1200HA - IXYS.
DHG10I1800PAIXYSDIODE GEN PURP 1.8KV 10A TO220ACSS2PH9-M3/85AVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE SCHOTTKY 90V 2A DO220AADHG50X600NAIXYSDIODE MODULE 600V 50A SOT227BDHG20C600QBIXYSDIODE ARRAY GP 600V 10A TO3P1N3672Solid State Inc.DIODE GEN PURP 900V 22A DO4DHG30I600HAIXYSDIODE GEN PURP 600V 30A TO247DHG30I1200HAIXYSDIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO247
DHG1000AVS1BAMD
PMEG10020AELPXNexperia USA Inc.DIODE SCHOTT 100V 2A SOD128/CFP5DHG100X1200NAIXYSDIODE MODULE 1.2KV 50A SOT227BDHG50X1200NAIXYSDIODE MODULE 1.2KV 25A SOT227B
1N4947GP-E3/54Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 800V 1A DO204ALAS1PDHM3/84AVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE AVAL 200V 1.5A DO220AADHG100X600NAIXYSDIODE MODULE 600V 100A SOT227B
SBR10U45SP5Q-13Diodes IncorporatedDIODE SBR 45V 10A POWERDI5
STPS1L30ASTMicroelectronicsDIODE SCHOTTKY 30V 1A SMA
BY500-400Diotec SemiconductorDIODE GEN PURP 400V 5A DO201
DHG10C600PBIXYSDIODE ARRAY GP 600V 5A TO220AB| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.