مواصفات التكنولوجيا DLA60I1200HA
المواصفات الفنية IXYS - DLA60I1200HA والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ IXYS - DLA60I1200HA
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | IXYS Corporation | |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا | 1.19 V @ 60 A | |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس) | 1200 V | |
| تكنولوجيا | Standard | |
| تجار الأجهزة حزمة | TO-247AD | |
| سرعة | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | |
| سلسلة | - | |
| حزمة / كيس | TO-247-2 |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| طَرد | Tube | |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع | -55°C ~ 175°C | |
| تصاعد نوع | Through Hole | |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي | 30 µA @ 1200 V | |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو) | 60A | |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F | 33pF @ 400V, 1MHz | |
| رقم المنتج الأساسي | DLA60 |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ IXYS DLA60I1200HA.
| سمة المنتج |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | DLA60I1200HA | RB521S-30TE61 | SS14HE3_A/H | VSSAF5N50-M3/6A |
| الصانع | IXYS | Rohm Semiconductor | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| تكنولوجيا | Standard | Schottky | Schottky | Schottky |
| حزمة / كيس | TO-247-2 | SC-79, SOD-523 | DO-214AC, SMA | DO-221AC, SMA Flat Leads |
| تجار الأجهزة حزمة | TO-247AD | EMD2 | DO-214AC (SMA) | DO-221AC (SlimSMA) |
| طَرد | Tube | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو) | 60A | 200mA | 1A | 3A |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F | 33pF @ 400V, 1MHz | - | - | 850pF @ 4V, 1MHz |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع | -55°C ~ 175°C | 125°C (Max) | -65°C ~ 125°C | -40°C ~ 150°C |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا | 1.19 V @ 60 A | 500 mV @ 200 mA | 500 mV @ 1 A | 410 mV @ 2.5 A |
| سرعة | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| رقم المنتج الأساسي | DLA60 | RB521 | SS14 | SAF5N50 |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي | 30 µA @ 1200 V | 30 µA @ 10 V | 200 µA @ 40 V | 1.4 mA @ 50 V |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس) | 1200 V | 30 V | 40 V | 50 V |
| تصاعد نوع | Through Hole | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| سلسلة | - | - | Automotive, AEC-Q101 | TMBS®, SlimSMA™ |
قم بتنزيل أوراق بيانات DLA60I1200HA PDF ووثائق IXYS لـ DLA60I1200HA - IXYS.
DLA001DTRSTMicroelectronics
DLA100B800LBIXYS / LittelfuseDLA001DSTMicroelectronicsRB521S-30TE61Rohm SemiconductorDIODE SCHOTTKY 30V 200MA EMD2DLA98006XXSS14HE3_A/HVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE SCHOTTKY 40V 1A DO214ACVSSAF5N50-M3/6AVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE SCHOTTKY 50V 3A DO221AC
CDBB260-GComchip TechnologyDIODE SCHOTTKY 60V 2A DO214AA
SBR1A40S1-7Diodes IncorporatedDIODE SBR 40V 1A SOD123
STTH102ASTMicroelectronicsDIODE GEN PURP 200V 1A SMADLA94006-104HT-1PSEMITEC
ES2D-M3/52TVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA
SDM8M100P5-13Diodes IncorporatedDIODE SCHOTTKY 100V 8A POWERDI 5
MUR115RLGonsemiDIODE GEN PURP 150V 1A AXIAL
1N2132RASolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 250V 70A DO5
DLA40IM800PCIXYS CorporationDIODE GEN PURP 800V 40A TO263
UF4002-E3/54Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 100V 1A DO204ALDLA001NSTMicroelectronics| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.