مواصفات التكنولوجيا FMK75-01F
المواصفات الفنية IXYS - FMK75-01F والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ IXYS - FMK75-01F
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | IXYS Corporation | |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 4V @ 4mA | |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | |
| تجار الأجهزة حزمة | ISOPLUS i4-PAC™ | |
| سلسلة | HiPerFET™ | |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 25mOhm @ 50A, 10V | |
| السلطة - ماكس | - | |
| حزمة / كيس | i4-Pac™-5 | |
| طَرد | Tube |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| تصاعد نوع | Through Hole | |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | - | |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 180nC @ 10V | |
| FET الميزة | - | |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 100V | |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 75A | |
| ترتيب | 2 N-Channel (Dual) | |
| رقم المنتج الأساسي | FMK75 |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ IXYS FMK75-01F.
| سمة المنتج |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | FMK75-01F | IRF7756TR | NTMD3P03R2 | IRF7331 |
| الصانع | IXYS | Infineon Technologies | onsemi | Infineon Technologies |
| طَرد | Tube | Tape & Reel (TR) | Bulk | Tube |
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | - | MOSFET (Metal Oxide) |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 25mOhm @ 50A, 10V | 40mOhm @ 4.3A, 4.5V | - | 30mOhm @ 7A, 4.5V |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 4V @ 4mA | 900mV @ 250µA | - | 1.2V @ 250µA |
| رقم المنتج الأساسي | FMK75 | IRF775 | NTMD3 | IRF733 |
| سلسلة | HiPerFET™ | HEXFET® | - | HEXFET® |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | - | 1400pF @ 10V | - | 1340pF @ 16V |
| تجار الأجهزة حزمة | ISOPLUS i4-PAC™ | 8-TSSOP | - | 8-SO |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 75A | 4.3A | - | 7A |
| تصاعد نوع | Through Hole | Surface Mount | - | Surface Mount |
| FET الميزة | - | Logic Level Gate | - | Logic Level Gate |
| ترتيب | 2 N-Channel (Dual) | 2 P-Channel (Dual) | - | 2 N-Channel (Dual) |
| السلطة - ماكس | - | 1W | - | 2W |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 100V | 12V | - | 20V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 180nC @ 10V | 18nC @ 4.5V | - | 20nC @ 4.5V |
| حزمة / كيس | i4-Pac™-5 | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) | - | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
قم بتنزيل أوراق بيانات FMK75-01F PDF ووثائق IXYS لـ FMK75-01F - IXYS.
IRF7756TRInfineon TechnologiesMOSFET 2P-CH 12V 4.3A 8-TSSOP
FMKA140_NLFairchild (onsemi)FMKA130LFairchild SemiconductorDIODE SCHOTTKY 30V 1A DO214ACNTMD3P03R2onsemiMOSFET PWR P-CHAN DUAL 30V 8SOICIRF7331Infineon TechnologiesMOSFET 2N-CH 20V 7A 8-SOIC
FMKA130LonsemiDIODE SCHOTTKY 30V 1A DO214AC
SI4830CDY-T1-E3Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOICFMKA130Fairchild SemiconductorDIODE SCHOTTKY 30V 1A DO214AC
ZXMN2088DE6TADiodes IncorporatedMOSFET 2N-CH 20V 1.7A SOT-26
SI6928DQ-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 30V 4A 8-TSSOPIRF7328TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET 2P-CH 30V 8A 8-SOICFMKA140onsemiDIODE SCHOTTKY 40V 1A DO214ACFMKA130onsemiDIODE SCHOTTKY 30V 1A DO214ACFMK4-K576FCI
FDS8928AonsemiMOSFET N/P-CH 30V/20V 8SOICFMKA140Fairchild SemiconductorDIODE SCHOTTKY 40V 1A DO214ACFMK4-K671FCI
DMC3025LSD-13Diodes IncorporatedMOSFET N/P-CH 30V 6.5A/4.2A 8SO| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.