مواصفات التكنولوجيا IXDN504SIA
المواصفات الفنية IXYS - IXDN504SIA والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ IXYS - IXDN504SIA
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | IXYS Corporation | |
| الجهد - توريد | 4.5V ~ 30V | |
| تجار الأجهزة حزمة | 8-SOIC | |
| سلسلة | - | |
| ارتفاع / سقوط الوقت (طباع) | 9ns, 8ns | |
| حزمة / كيس | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| طَرد | Tube | |
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| تردد الإدخال | 2 |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| تصاعد نوع | Surface Mount | |
| المنطق الجهد - فيل، فيه | 0.8V, 3V | |
| نوع المدخلات | Non-Inverting | |
| نوع البوابة | IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET | |
| تكوين مدفوعة | Low-Side | |
| الحالي - ذروة الانتاج (المصدر، بالوعة) | 4A, 4A | |
| قاعدة باعث تشبع الجهد (ماكس) | Independent | |
| رقم المنتج الأساسي | IXDN504 |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ IXYS IXDN504SIA.
| سمة المنتج |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | IXDN504SIA | IXDN504PI | IXDN502SIA | IXDN414PI |
| الصانع | IXYS | IXYS | IXYS | IXYS |
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| الحالي - ذروة الانتاج (المصدر، بالوعة) | 4A, 4A | 4A, 4A | 2A, 2A | 14A, 14A |
| نوع البوابة | IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET | IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET | IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET | IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET |
| حزمة / كيس | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-DIP (0.300", 7.62mm) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-DIP (0.300", 7.62mm) |
| تردد الإدخال | 2 | 2 | 2 | 1 |
| نوع المدخلات | Non-Inverting | Non-Inverting | Non-Inverting | Non-Inverting |
| سلسلة | - | - | - | - |
| المنطق الجهد - فيل، فيه | 0.8V, 3V | 0.8V, 3V | 0.8V, 3V | 0.8V, 3.5V |
| تجار الأجهزة حزمة | 8-SOIC | 8-DIP | 8-SOIC | 8-DIP |
| الجهد - توريد | 4.5V ~ 30V | 4.5V ~ 30V | 4.5V ~ 30V | 4.5V ~ 35V |
| رقم المنتج الأساسي | IXDN504 | IXDN504 | IXDN502 | IXDN414 |
| طَرد | Tube | Tube | Tube | Tube |
| تصاعد نوع | Surface Mount | Through Hole | Surface Mount | Through Hole |
| تكوين مدفوعة | Low-Side | Low-Side | Low-Side | Low-Side |
| ارتفاع / سقوط الوقت (طباع) | 9ns, 8ns | 9ns, 8ns | 7.5ns, 6.5ns | 22ns, 20ns |
| قاعدة باعث تشبع الجهد (ماكس) | Independent | Independent | Independent | Single |
قم بتنزيل أوراق بيانات IXDN504SIA PDF ووثائق IXYS لـ IXDN504SIA - IXYS.
IXDN504PIIXYSIC GATE DRVR LOW-SIDE 8DIPIXDN502SIAIXYSIC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOICIXDN414PIIXYSIC GATE DRVR LOW-SIDE 8DIPIXDN409SIIXYSIC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
IXDN602D2TRIXYS Integrated Circuits DivisionIC GATE DRVR LOW-SIDE 8DFNIXDN514SIAIXYSIC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
IXDN55N120DIXYS / LittelfuseIGBT ModuleIXDN50N120D1IXYS / LittelfuseIGBT ModuleIXDN55N120IXYS / LittelfuseIGBT ModuleIXDN40N120IXYS / LittelfuseIGBT ModuleIXDN502PIIXYSIC GATE DRVR LOW-SIDE 8DIPIXDN404SIAIXYSIC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOICIXDN50N120AU1IXYS / LittelfuseIGBT Module
IXDN55N120DINOIGBT ModuleIXDN414CIIXYSIC GATE DRVR LOW-SIDE TO220-5IXDN409PIIXYSIC GATE DRVR LOW-SIDE 8DIPIXDN509SIAIXYSIC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOICIXDN55N120D1IXYSIGBT MOD 1200V 100A 450W SOT227B| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.